HITACHI 1SS120 Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching 数据手册

1SS120 是Si Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching,具有低电容(C = 3.0pF max)和短的反向恢复时间(trr = 3.5ns max)等特点。


品牌
日立
文件格式
PDF
发布时间
2012年6月7日
更新时间
2023年9月30日
MD5 校验值
D7B2F086C95DC1BF019159075D414882
下载 PDF

日立 的其他说明书


查看 日立 全部说明书 →