HITACHI 1SS110 Silicon Epitaxial Planar Diode for Tuner Band Switch 数据手册 1SS110是希捷公司生产的一款硅外延平面二极管,适用于5mm间距的高速自动插入,具有低正向电阻和小尺寸的玻璃封装
HITACHI 1SS108 Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching 数据手册 1SS108 是一种硅肖特基势垒二极管,用于各种探测器和高速开关。该二极管具有优异的探测效率、小温度系数和玻璃密封的高可靠性。
HITACHI HD74ALVCH16831 1-to 4 Address Register / Driver with 3-state Outputs HD74ALVCH16831是一个1到4位地址寄存器/驱动器,适用于2.3V至3.6V的VCC操作。该设备可用于驱动四个独立的内存位置的单个地址总线的应用。根据选择(SEL)输入的逻辑电平,可将HD74ALVCH16831用作缓冲器或寄存器。当SEL为逻辑高时,设备处于缓冲模式。输出跟随输入,并由两个输出使能(OE)控制。每个OE控制两组九个输出。当SEL为逻辑低时,设备处于寄存器模式。寄存器是一个边沿触发的D型触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变上升沿时,存储在A输入处的数据被存储在内部寄存器中。OE控制在缓冲模式下的操作与之相同。当OE为逻辑低时,输出处于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)。当OE为逻辑高时,输出处于高阻抗状态。为了在上电或掉电时保持高阻抗状态,OE应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流下沉能力确定。SEL和OE不影响触发器的内部操作。在输出处于高阻抗状态时,可以保留旧数据或输入新数据。
HITACHI 2SJ318(L),2SJ318(S) 数据手册(3) 该文件是从www.ICminer.com电子图书馆服务下载的,查询了2SJ318(L)供应商。该供应商提供2SJ318(L)产品的信息。
HITACHI 2SJ318(L),2SJ318(S) 数据手册(1)(1) 2SJ318L 是 NXP 公司的一款 P 沟道 MOS FET,适用于高压开关应用。它具有低导通电阻、高开关速度和低驱动电流。
HITACHI 2SJ318(L),2SJ318(S) 数据手册(1) 2SJ318(L), 2SJ318(S)是一款硅P通道MOS FET,具有低导通电阻、高开关速度和低驱动电流等特点,适用于开关稳压器、DC-DC转换器等应用。
HITACHI 2SJ319(L),2SJ319(S) 数据手册 这份文档介绍了2SJ319(L), 2SJ319(S)硅P-通道MOS FET的应用领域和特点,包括低导通电阻、高速开关、低驱动电流和适用于开关稳压器、DC-DC转换器等。
HITACHI 2SJ247 Silicon P-Channel MOS FET 数据手册 2SJ247硅P通道MOSFET,应用于高速度功率开关,具有低阻值、高速度开关、低驱动电流等特点,适用于开关调节器、DC-DC转换器。
HITACHI 2SJ248 Silicon P-Channel MOS FET 数据手册 该文件介绍了2SJ248硅P-Channel MOS FET的应用和特性,包括低导通电阻、高速开关、低驱动电流等特点。适用于开关稳压器、DC-DC转换器等应用。