MITSUBISHI ELECTRIC MGFC42V5964A 说明书 MGFC42V5964A是一款内阻匹配的GaAs功率FET，专为5.9 - 6.4 GHz频段放大器而设计。它具有高可靠性，内部匹配到50欧姆系统，具有高输出功率，高功率增益和高功率附加效率。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC45B3436B 说明书 MGFC45B3436B是Mitsubishi Electric生产的一款射频功率器件，工作频率为3.4-3.6GHz，最大输出功率为30W，输出功率增益为11dB，失真为-45dBc。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC45V4450A 说明书 MGFC45V4450A是一种内部匹配的GaAs功率FET，专为4.4-5.0GHz频段放大器设计。金属陶瓷封装保证了高可靠性。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC45V5964A 说明书 MGFC45V5964A是一种内部匹配的GaAs功率FET，专为5.9-6.4 GHz频段放大器设计。金属陶瓷封装保证了高可靠性。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC47A4450 说明书 MGFC47A4450是Mitsubishi Electric Corporation设计的一款功率晶体管，适用于4.4-5.0GHz频段放大器。该晶体管具有高输出功率、高增益和高效率等特点。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC47V5864 说明书 MGFC47V5864是安森美公司推出的5.8-6.4GHz带内功率晶体管，具有高输出功率、高功率增益和高效率特性，可广泛用于卫星地面站通讯发射机和VSAT。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC36V3742A 说明书 MGFC36V3742A是内部匹配的GaAs功率FET，专门设计用于3.7-4.2GHz带宽放大器。产品特性包括：内部匹配到50欧姆系统、高输出功率、高功率增益、高功率附加效率和低失真。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC36V5867 说明书 MGFC36V5867是内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为5.8-6.75GHz频段放大器而设计。该产品具有高可靠性，采用金属陶瓷封装，可满足Class A工作条件。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC36V7177A 说明书 MGFC36V7177A是一款内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为7.1-7.7 GHz频段放大器而设计。该器件采用密封金属陶瓷封装，可保证高可靠性。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC36V7785A 说明书 MGFC36V7785A是一种用于7.7-8.5 GHz带放大器的内部匹配的GaAs功率FET。该产品具有A类工作，内部匹配到50欧姆系统，高输出功率，高功率增益，高功率添加效率和低失真等特点。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC38V5867 说明书 MGFC38V5867是内阻匹配的GaAs功率FET，专为5.8–6.75 GHz带宽放大器而设计。金属陶瓷封装保证了高的可靠性。
MITSUBISHI ELECTRIC MGFC38V6472 说明书 MGFC38V6472是一种内部匹配的GaAs功率FET，特别设计用于6.4-7.2 GHz频段放大器。密封金属陶瓷封装保证高可靠性。
