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三菱 MGF4941AL 说明书

MGF4941AL 是 Mitsubishi 生产的一种 GaAs HEMT 型低噪声器件，主要用于 Ku 波段放大器。其特点是低噪声 figure (NFmin. = 0.35dB )、高增益 (Gs = 13.5dB )。

MGF4953A是一款超低噪声的InGaAs HEMT（高电子迁移率晶体管），适用于C至K波段放大器。该产品具有低噪声系数和高关联增益。

MGF4953B是一款超低噪声的InGaAs HEMT（高电子迁移率晶体管），专为K波段放大器而设计。无铅陶瓷封装可确保最小寄生损耗。

MGF4961B是三菱电气推出的一款超低噪声GaAs FET，适用于K波段放大器。其特点是低噪声系数（f=20GHz，NFmin. = 0.7dB，典型值）和高增益（f=20GHz，Gs = 13.5dB，典型值）。

MGF4951A/MGF4952A是一款超低噪声HEMT（高电子迁移率晶体管），适用于C到K波段放大器。无引线陶瓷封装确保最小的寄生损耗。

该文件介绍了MGF0907B高功率GaAs FET，用于UHF频段功放器。该产品具有高输出功率、高功率增益和高功率增益效率等特点。

MGF0909A GaAs FET 是N 通道肖特基栅极，专为 L/S 带放大器而设计。

MGF0910A 是 N 沟道肖特基栅 GaAs FET，设计用于 UHF 带宽放大器。它具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。

本文件介绍了MGF0911A型号的高功率GaAs FET放大器。该产品适用于UHF频段放大器，具有高输出功率、高功率增益和高功率添加效率等特点。

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MGF0915A是N通道肖特基栅极GaAs FET，适用于UHF频段放大器。其特点是输出功率高、增益高、附加效率高。

MGF0918A GaAs FET是带N通道肖特基栅极的GaAs FET，用于UHF频段放大器。具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。

MGF0920A GaAs FET是一款高功率、高增益、高效率的N沟道肖特基门FET，适用于UHF波段功率放大器。

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MGF0951P是N通道肖特基门GaAs FET，设计用于L/S波段放大器。其特点是高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。