三菱说明书

三菱 MGFC42V7785A 说明书

MGFC42V7785A是内部匹配的GaAs功率FET，专为7.7-8.5 GHz带宽放大器而设计。该产品具有高可靠性，采用金属-陶瓷封装，具有高输出功率、高增益和高效率。

MGFC44V3642是一款内部匹配的GaAs功率场效应晶体管，专为在3.6-4.2GHz频段放大器中使用而设计。该产品具有高度可靠性，采用钎焊密封的金属陶瓷封装。

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MGFC44V6472是一款内部匹配的GaAs功率FET，专为用于6.4-7.2GHz带宽放大器而设计。该密封金属陶瓷封装保证了高可靠性。

MGFC45V3436A是一款3.4-3.6GHz频段的32W功率增益GaAs FET，具有高输出功率、高功率增益、高功率附加效率和低失真特性。

MGFC45V3642A是内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为用于3.6-4.2GHz频段放大器而设计。该设备具有高可靠性，并提供高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。

MGFC45V6472A 是内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专门设计用于6.4-7.2GHz 频段放大器。该产品具有高可靠性，采用金属陶瓷封装。

MGFC47A7785 为高功率 GaAs 晶体管，工作频率为 7.7 GHz 至 8.5 GHz，工作模式为 A 类，功率输出为 47W，具有高输出功率、高功率增益和高功率附加效率。适用于卫星地球站通信发射机和 VSAT 的固态功率放大器

该文档介绍了一款13.75-14.50 GHz频段的内部匹配功率GaAs场效应晶体管，适用于功放器。其具有高输出功率、高线性功率增益和高功率增益效率等特点。

MGFK41A4045是松下公司生产的一款GaAs功率FET，适用于14.0-14.5GHz波段放大器。产品具有高输出功率、高线性功率增益等特点，建议工作条件为VDS=10V、ID=3.0A、RG=50ohm。

MGFK44A4045是一种内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为在14.0-14.5 GHz频段放大器中使用而设计。密封金属陶瓷封装保证了高可靠性。

MGFK25V4045是英飞凌公司推出的一款内部匹配的GaAs功率FET，专为14.0-14.5GHz频段放大器设计。该器件具有高功率输出、高线性增益和高功率附加效率等特点，适用于14.0-14.5GHz频段功率放大器。

MGFK30V4045是内部阻抗匹配的GaAs功率FET，专为14.0-14.5GHz频段放大器而设计。该产品具有封装可靠，高输出功率，高线性增益和高功率附加效率的特点。

MGFK33V4045是一种内部匹配的GaAs功率FET，专为14.0-14.5 GHz频段放大器设计。密封金属陶瓷封装保证高可靠性。