MITSUBISHI ELECTRIC RA03M8087M 说明书 RA03M8087M是RaSilicon公司推出的3.6W RF MOSFET放大器模块，工作电压为7.2V，适用于806-870MHz频段的便携式无线电设备。该模块可以直接连接到MOSFET增强型栅极，无需外部电源。当栅极电压为0V时，漏极电流很小，RF输入信号衰减高达60dB。随着栅极电压的增加，输出功率和漏极电流也随之增加。当栅极电压达到2.5V时，输出功率和漏极电流大幅增加。当栅极电压为3V时，输出功率达到最大值。当栅极电压为3.5V时，典型栅极电流为1mA。该模块可用于非线性FM调制，也可以通过设置栅极电压和输入功率来进行线性调制。
MITSUBISHI ELECTRIC RA06H8285M 说明书 RA06H8285M是一种12.5伏特的6瓦RF MOSFET放大器模块，适用于820-851兆赫范围内的移动收音机。该模块采用增强型MOSFET晶体管，具有宽频带频率范围，低功耗控制电流和线性操作能力。
MITSUBISHI ELECTRIC RA03M9595M 说明书 RA03M9595M是RASilicon公司生产的一款3.0-watt RF MOSFET Amplifier Module，它具有以下特点：1. 该模块的输出功率和漏电流随着栅极电压的增加而增加；2. 在栅极电压达到2.5V（最低）时，输出功率和漏电流会大幅增加；3. 在VGG=3.5V时，典型的栅极电流为1 mA。
MITSUBISHI ELECTRIC RA05H8693M 说明书 RA05H8693M是硅射频功率半导体，符合RoHS标准，频率范围为866-928MHz，功率为5W，电压为14V，采用3级放大器。
MITSUBISHI ELECTRIC RA05H9595M 说明书 RA05H9595M是一款5瓦的射频MOSFET放大器模块，工作频率范围为952-954MHz，具有增益模式MOSFET晶体管、输出功率和漏极电流随门电压的增加而增加等特点
MITSUBISHI ELECTRIC RA13H8891MA 说明书 RA13H8891MA是13-watt RF MOSFET Amplifier Module，用于12.5-volt mobile radios，工作频率为889-915MHz。
三菱 RA45H7687M1 说明书 RA45H7687M1是一款45瓦的RF MOSFET放大器模块，适用于12.8伏特移动无线电，工作于763至870兆赫范围。该模块采用增强型MOSFET晶体管，具有宽频带频率范围、高功率输出和高效率。
三菱 RA18H1213G 说明书 RA18H1213G是一款18瓦的RF MOSFET放大器模块，适用于在1.24-1.30 GHz范围内运行的12.5伏移动收音机。该模块具有增强型MOSFET晶体管，宽频带频率范围，低功耗控制电流等特点。
三菱 RD00HVS1 说明书 RD00HVS1是一种特殊设计用于VHF/UHF射频放大器应用的MOS FET型晶体管。具有高功率增益Pout>0.5W，Gp>20dB @Vdd=12.5V，f=175MHz。
