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SPP08N50C3, SPI08N50C3 SPA08N50C3 Cool MOS™ 功率晶体管，具有 560 V 的 VDS@Tjmax、0.6 欧姆的 RDS(on) 和 7.6 A 的 ID。其特点包括：新的革命性高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩额定值、极端 dv/dt 额定值、超低有效电容和改进的传导率。