INFINEON IPD60R600CP 数据手册 IPD60R600CP CoolMOS 功率晶体管的特点包括最低的 RON x Qg 比率、超低栅极电荷、极端 dv/dt 额定值、高峰值电流能力以及根据 JEDEC1) 针对目标应用进行的合格认证。
INFINEON IKW50N60T 数据手册 IKW50N60T是英飞凌推出的一款IGBT产品，采用TrenchStop®和Fieldstop技术，具有低压降、高可靠性、高耐热性等特点。该产品适用于频率变换器和不间断电源等应用。
INFINEON IPA90R1K0C3 数据手册 IPA90R1K0C3 CoolMOS™功率晶体管具有最低的RON x Qg值、极高的dv/dt额定值、高峰值电流能力，适用于准谐振反馈/正向拓扑结构、PC Silverbox和消费类应用、工业开关电源等领域。
INFINEON SPP11N80C3 SPA11N80C3 数据手册 SPP11N80C3 SPA11N80C3 Cool MOS™ Power Transistor is a high voltage transistor with low gate charge, periodic avalanche rated, extreme dv/dt rated, ultra low effective capacitances and improved transconductance.
INFINEON SPB20N60S5 数据手册 SPB20N60S5 Cool MOS™功率晶体管具有600伏的最大电压，0.19欧姆的导通电阻和20安培的连续漏极电流。该晶体管具有极低的门电荷、极端的dv/dt额定值、极低的有效电容和改进的导通电阻。
INFINEON SPP/B80P06P 数据手册 SPP/B80P06P SIPMOS® Small-Signal-Transistor 是P通道增强型二极管，具有防雪崩功能，可在175°C的温度下工作，符合RoHS标准。
INFINEON IPW60R250CP 数据手册 IPW60R250CP CoolMOSTM功率晶体管具有最低的RONxQg、超低的栅极电荷、极端的dv/dt额定值和高峰值电流能力。该产品经过JEDEC1)认证，符合目标应用要求，无铅镀铅；符合RoHS要求。CoolMOS CP专为硬开关SMPS拓扑而设计。
INFINEON SGP30N60 SGW30N60 数据手册 该文件介绍了SGP30N60和SGW30N60两种快速IGBT产品的特点，包括较低的Eoff、低导通损耗、短路耐受时间、NPT技术应用、JEDEC认证等。
INFINEON SPB12N50C3 数据手册 该数据表是关于SPB12N50C3 Cool MOS 功率晶体管的，包括产品的最大额定电流、最大峰值电流、反向二极管dv/dt、最大功耗、工作温度范围等信息。
INFINEON SPP18P06P 数据手册 SPP18P06P SIPMOS Power-Transistor是用于P通道电源开关应用的增强型三极管，其特点是具有Avalanche额定值和175°C的操作温度。
