三星 - 第34页

SAMSUNG SDRAM 128Mb F-die (x4, x8, x16) 数据手册(1)

此文档是SAMSUNG 128Mb F-die SDRAM 规格书的预览版本，详细介绍了产品的特点特性

SAMSUNG SDRAM 128Mb F-die (x4, x8, x16)数据手册

本文件是一份关于K4S280432F/K4S280832F/K4S281632F的技术规格说明书，介绍了该产品的特点特性，包括存储容量、接口、封装等信息。

SAMSUNG SDRAM 128Mb F-die (x4, x8, x16) 数据手册(1)(1)

128Mb F-die SDRAM Specification

三星 SCH-i929 使用说明书

这是一本三星 SCH-i929 的使用说明书，介绍了该设备的功能与特性。

三星 128Mb E-die SDRAM Specification 说明书

该文档介绍了三款SDRAM产品，分别为K4S280432E、K4S280832E和K4S281632E。它们都是由三星电子采用高性能CMOS技术制造的同步高速动态RAM。这些产品具有精确的周期控制和可编程的传输长度和延迟时间，适用于各种高带宽、高性能的内存系统。

SAMSUNG K4S280432D 数据手册(1)

该文件是关于 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL 的技术资料，详细介绍了产品的特点特性。

SAMSUNG K4S280432D 数据手册(1)(1)

该文档介绍了CMOS SDRAM K4S280432D的特点和特性，包括其存储容量、构造、工作频率、电源供应等信息。

SAMSUNG K4S280432C 数据手册(1)

本文档介绍了K4S280432C CMOS SDRAM的数据手册，包括产品的特点、特性、参数等信息。

SAMSUNG K4S280432C 数据手册(1)(1)

该文件介绍了三星电子的K4S280432C CMOS SDRAM产品。该产品是一种高数据速率的同步动态RAM，具有4个8,388,608字 x 4位的存储单元，采用了三星的高性能CMOS技术。它具有3.3V电源供应，与多路复用地址兼容，支持四个存储单元的操作，具有可编程的突发长度、CAS延迟和突发类型等特性。

SAMSUNG K4S280432B 数据手册(1)

该文档介绍了K4S280432B CMOS SDRAM产品的特点和特性，包括其组织结构、工作频率范围、可编程的突发长度和延迟等。该产品具有高数据传输速率和高性能，适用于各种高带宽、高性能的内存系统应用。

SAMSUNG K4S280432B 数据手册(1)(1)

该文档介绍了韩国三星电子公司于1999年8月发布的K4S280432B CMOS SDRAM产品的特点和特性。该产品是一种同步高速动态随机存储器，容量为128Mbit，采用了三星的高性能CMOS技术。它具有可编程的工作频率、突发长度和延迟时间，适用于各种高带宽、高性能的存储系统应用。

SAMSUNG K4S280432A 数据手册

K4S280432A是一种128Mbit SDRAM，采用SAMSUNG的高性能CMOS技术制造，具有同步设计和可编程特性，适用于高带宽、高性能的存储系统应用。

SAMSUNG K4S280432A 数据手册

K4S280432A是134,217,728位同步高数据速率动态随机存储器，组织为4 x 8,388,608字由4位组成，采用SAMSUNG的高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟精确地控制周期I/O交易可以在每个时钟周期上进行。操作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟使同一设备可用于各种高带宽、高性能内存系统应用。

SAMSUNG SDRAM stacked 1Gb B-die (x8) 数据手册(1)(1)

该文档是一份产品规格说明书，主要介绍了K4S1G0732B产品的特点特性，包括产品的组织结构、工作频率、时序、接口等。

SAMSUNG SDRAM stacked 1Gb B-die (x8) 数据手册(1)

该文档是K4S1G0732B产品的规格说明书