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三星 K5L5628JT(B)M 数据手册(1)(1)

K5L5628JT(B)M 是三星公司生产的一款 256M Bit (16M x16) Synchronous Burst , Multi Bank NOR Flash / 128M Bit(8M x16) Synchronous Burst UtRAM ，工作电压为 1.7V 到 1.95V ，工作温度为 -30°C ~ 85°C 。

三星 K5L5628JT(B)M 数据手册(1)

K5L5628JT(B)M是三星推出的一款256M Bit (16M x16) Synchronous Burst , Multi Bank NOR Flash / 128M Bit(8M x16) Synchronous Burst UtRAM

三星 K4S643232C 数据手册

该文档介绍了K4S643232C CMOS SDRAM产品的特性和特点，包括其存储容量、工作电压、操作频率范围、延迟时间可编程等。

三星 K4S64163LH - R(B)E/N/G/C/L/F 说明书

K4S64163LH-R(B)E/N/G/C/L/F是三星生产的一种移动内存，它采用了高性能的CMOS技术，具有2.5V的电源供应、4个银行操作、MRS周期和EMRS周期等特点。

三星 K4S641633H - R(B)E/N/G/C/L/F 说明书(1)

K4S641633H是三星公司生产的一种带有动态随机存取内存（DRAM）的存储器，它具有3.0V和3.3V的供电电压，支持四个银行操作，支持1、2、3、4、8、Full Page等多种突发长度，还支持顺序和交错两种突发类型。该产品具有特殊功能支持，包括部分阵列自刷新（PASR）和内部温度补偿自刷新（TCSR），并且支持DQM掩码和自动刷新。该产品的商业温度范围为-25°C至70°C，扩展温度范围为-25°C至85°C。该产品采用54Balls FBGA封装，引脚间距为0.8mm，带有引线（-RXXX）和无铅（-BXXX）两种封装类型。

三星 K4S641633H - R(B)E/N/G/C/L/F 说明书(1)(1)

该文件介绍了K4S641633H-R(B)E/N/G/C/L/F型号的移动SDRAM产品的特点和特性，包括3.0V和3.3V电源供应、LVCMOS兼容性、四个存储区域操作、MRS和EMRS循环等。

三星 K4S56163LF - X(Z)E/N/G/C/L/F 说明书(1)

该文件介绍了鼎好公司的K4S56163LF型号移动SDRAM产品的特点。该产品采用2.5V电源供应，与多路复用地址兼容，具有四个存储区操作。该产品支持CAS延迟、突发长度和突发类型的设置，具有特殊功能支持，如部分阵列自刷新和温度补偿自刷新等。该产品适用于高带宽、高性能内存系统应用。

三星 K4S56163LF - X(Z)E/N/G/C/L/F 说明书(1)(1)

该文档介绍了K4S56163LF型号的移动SDRAM产品的特点和特性，包括2.5V电源供应、LVCMOS兼容的多路复用地址、四个存储区操作、MRS循环和EMRS循环等功能。

三星 K4S56163PF - R(B)G/F 说明书(1)

K4S56163PF为三星生产的268,435,456位同步高数据速率动态随机存储器，组织形式为4 x 4,196,304字节×16位，采用三星高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟精确控制周期，并且可以在每个时钟周期进行I/O事务。可编程的操作频率、可编程的突发长度和可编程的延迟允许同一设备在各种高带宽和高性能内存系统应用中使用。

三星 K4S56163PF - R(B)G/F 说明书(1)(1)

K4S56163PF是三星公司生产的一种低功耗、高性能的同步动态随机存储器(SDRAM)，它采用了4 x 4,196,304字节×16位的高性能CMOS技术，可在-25°C~70°C的商业温度范围内工作，也可在-25°C~85°C的扩展温度范围内工作。

SAMSUNG K4S561633F - X(Z)E/N/G/C/L/F

K4S561633F是一种268,435,456位同步高数据速率动态随机存储器，组织为4 x 4,196,304字16位，采用三星的高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟进行精确的周期控制，并且I/O事务可以在每个时钟周期上进行。操作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许同一器件在各种高带宽、高性能存储系统应用中发挥作用。

三星 16Mx16 SDRAM 54CSP CMOS SDRAM 说明书

K4S561633C-R(B)L/N/P是三星推出的一款4M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM，采用54CSP封装，支持3.0V/3.0V和3.3V/3.3V两种电压供电。该芯片具有四个银行操作、MRS周期、地址键程序、延迟周期、突发长度和突发类型等功能，支持自动刷新。

三星 K4S561633C-R(B)L/N/P 16Mx16 SDRAM 54CSP 说明书

K4S561633C-R(B)L/N/P是三星公司生产的一种同步动态随机存储器（SDRAM），它具有4M×16位×4个银行的存储容量，工作电压为3.0V或3.3V，工作温度范围为-25℃~85℃。该器件具有四个银行操作、MRS周期、CAS延迟、突发长度、突发类型、自刷新、64ms刷新周期等功能。

三星 K4S51323LF - M(E)C/L/F Mobile SDRAM 说明书

本文件是K4S51323LF的详细资料，详细介绍了该产品的特点特性。

三星 K4S513233F - M(E)C/L/F Mobile SDRAM 说明书(1)

K4S513233F - M(E)C/L/F是三星公司生产的一款移动存储器，它支持3.0V和3.3V电源，LVCMOS兼容多路复用地址，支持四个银行操作，支持MRS周期和地址键程序。