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三星 S3C2440X RISC MICROPROCESSOR 说明书(1)

S3C2440X是三星公司开发的一款16/32位RISC微处理器，采用ARM920T内核，0.13um CMOS标准单元，完全静态设计，低功耗，适合成本和功耗敏感的应用

三星 S3C2440X RISC MICROPROCESSOR 说明书(1)(1)

该文档介绍了三星S3C2440X 16/32位RISC微处理器，该处理器适用于手持设备和一般应用，具有低功耗和高性能的微控制器解决方案。

三星 S3C2440A 32-BIT CMOS MICROCONTROLLER USER'S MANUAL

S3C2440A 32位CMOS微控制器用户手册

三星 S3C2440A 32-BIT CMOS MICROCONTROLLER USER'S MANUAL

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三星 S3C2410X 32-Bit RISC Microprocessor USER'S MANUAL

S3C2410X是一款32位RISC微处理器，具有高性能和可靠性。本文档提供了S3C2410X的用户手册，包括技术资料和热点资讯等内容。

三星 S3C2410X 32-Bit RISC Microprocessor Revision 1.2 USER'S MANUAL

该文档是关于S3C2410X 32位RISC微处理器的用户手册，介绍了该产品的技术资料和特性。

SAMSUNG K4S64163LH - R(B)E/N/G/C/L/F 数据手册

K4S64163LH - R(B)E/N/G/C/L/F February 2004 Mobile-SDRAM is a 67,108,864 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 1,048,576 words by 16 bits, fabricated with SAMSUNG’s high performance CMOS technol- ogy. Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock and I/O transactions are possible on every clock cycle. Range of operating frequencies, programmable burst lengths and programmable latencies allow the same device to be useful for a variety of high bandwidth and high per- formance memory system applications.

SAMSUNG K4S640832K 数据手册

K4S640832K是三星生产的一款64Mb同步动态随机存储器(DRAM)。该芯片采用K-die封装，支持x1、x4、x8和x16时钟倍频率。

SAMSUNG K4S640832K 数据手册

本文件是关于K4S640832K Synchronous DRAM Rev. 1.1 February 2006 的技术规格说明书，包含了该产品的各种参数信息。

SAMSUNG SDRAM 64Mb H-die (x4, x8, x16) 数据手册(1)

该文件介绍了三星电子的SDRAM 64Mb H-die产品规格，包括不同接口和封装的型号，以及其高性能CMOS技术和同步设计的特点。

SAMSUNG SDRAM 64Mb H-die (x4, x8, x16) 数据手册(1)(1)

K4S640432H / K4S640832H / K4S641632H是Samsung Electronics生产的64Mb H-die CMOS SDRAM芯片。

SAMSUNG K5T6432YT(B)M 数据手册(1)

这是一个Multi-Chip Package MEMORY 64M Bit (4Mx16) Four Bank NOR Flash Memory / 32M Bit (2Mx16) UtRAM的技术手册，详细介绍了该产品的特点特性。

SAMSUNG K5T6432YT(B)M 数据手册(1)(1)

K5T6432YT(B)M是三星电子推出的一款64M位四通道NOR闪存和32M位UtRAM的多芯片封装内存。

三星 K5P2880YCM - T085 数据手册(1)

该文档介绍了鼎好公司的K5P2880YCM - T085型号的多芯片封装存储器产品。该产品包含128M位（16Mx8）Nand闪存和8M位（1Mx8/512Kx16）全CMOS SRAM。闪存具有高速的编程和擦除性能，而SRAM则具有高容量和低功耗的特点。

三星 K5P2880YCM - T085 数据手册

K5P2880YCM是三星公司生产的一款集成128Mbit Nand Flash和8Mbit full CMOS SRAM的Multi ChipPackage Memory，单电源供电3.0V，支持528-byte page program，16K-byte block erase，读取速率50ns。