三星说明书

K4S643232C是一款67,108,864位同步高数据速率动态随机存储器，由4 x 524,288个字和32位组成，使用SAMSUNG高性能CMOS技术制造。同步设计允许通过使用系统时钟进行精确的周期控制。I/O交易可以在每个时钟周期上进行。操作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许相同的设备用于各种高带宽、高性能存储器系统应用。

三星 SDRAM 256Mb E-die (x4, x8, x16) 数据手册

K4S560432E / K4S560832E / K4S561632E是268,435,456位同步高数据速率动态随机存储器，以4 x 16,785,216 / 4 x 8,392,608 / 4 x 4,196,304字节组织为4位，采用SAMSUNG的高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟精确地控制周期，I/O事务可以在每个时钟周期中进行。操作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许同一设备用于各种高速应用。

三星 SDRAM 256Mb E-die (x4, x8, x16) CMOS SDRAM 数据手册(1)

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三星 SDRAM 256Mb E-die (x4, x8, x16) CMOS SDRAM 数据手册(1)(1)

该文档详细介绍了三星256Mb E-die SDRAM 的型号、频率、接口、封装等信息

三星 K4S283233F - F(H)E/N/G/C/L/F February 2004 Mobile-SDRAM 说明书

K4S283233F是一种同步的高数据速率动态随机存取存储器，具有3.0V和3.3V电源供应，LVCMOS兼容的复用地址，四个银行操作，MRS周期和EMRS周期等特点。

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