三星 - 第32页

三星 1Gb 1.8V NAND Flash Errata 说明书

某些AC特性不符合规范，受影响的产品包括K9F1G08Q0M-YCB0/YIB0, K9F1G16Q0M-YCB0/YIB0 K9K2G08Q0M-YCB0/YIB0, K9K2G16Q0M-YCB0/YIB0。

三星 K9F1G08Q0A/K9F1G08U0A 数据手册

这份数据表介绍了K9F1G08U0A和K9F1G08Q0A这两款闪存芯片的特性

三星 K9F1G08Q0M/K9F1G16Q0M/K9F1G08D0M/K9F1G16D0M/K9F1G08U0M/K9F1G16U0M 数据手册

128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory 数据手册

三星 K9F1608W0A-TCB0, K9F1608W0A-TIB0 FLASH MEMORY 数据手册(1)

K9F1608W0A-TCB0, K9F1608W0A-TIB0 FLASH MEMORY是韩国三星电子公司生产的一款2Mx8Bit NAND Flash Memory。

三星 K9F1608W0A-TCB0, K9F1608W0A-TIB0 FLASH MEMORY 数据手册(1)(1)

2M x 8位NAND闪存，用于固态存储市场。该闪存具有264字节页的编程和4K字节块的擦除功能。

三星 K9F1208D0A/K9F1208U0A/K9F1216D0A/K9F1216U0A 数据手册(2)

该数据表提供了64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory的详细信息，包括产品参数、封装形式、引脚图等。

三星 K9F1208D0A/K9F1208U0A/K9F1216D0A/K9F1216U0A 数据手册(1)

该文件是关于SAMSUNG Electronics生产的64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory的技术资料。文件介绍了产品的规格和特性，并提供了修订历史和联系方式。

三星 K9F1216U0A/K9F1208U0A FLASH MEMORY 数据手册

K9F1208U0A和K9F1216U0A是三星电子生产的64M x 8比特和32M x 16比特的NAND闪存芯片，支持1.8V和3.3V供电。

三星 K9F1208X0C 说明书

该文档介绍了三种型号的三星闪存产品K9F1208R0C、K9F1208U0C和K9F1208B0C的技术资料和特点。

三星 K9F1208D0A/K9F1208U0A/K9F1216D0A/K9F1216U0A 数据手册

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三星 K4S643232C CMOS SDRAM 数据手册

K4S643232C是一款67,108,864位同步高数据速率动态随机存储器，由4 x 524,288个字和32位组成，使用SAMSUNG高性能CMOS技术制造。同步设计允许通过使用系统时钟进行精确的周期控制。I/O交易可以在每个时钟周期上进行。操作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许相同的设备用于各种高带宽、高性能存储器系统应用。

三星 SDRAM 256Mb E-die (x4, x8, x16) 数据手册

K4S560432E / K4S560832E / K4S561632E是268,435,456位同步高数据速率动态随机存储器，以4 x 16,785,216 / 4 x 8,392,608 / 4 x 4,196,304字节组织为4位，采用SAMSUNG的高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟精确地控制周期，I/O事务可以在每个时钟周期中进行。操作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许同一设备用于各种高速应用。

三星 SDRAM 256Mb E-die (x4, x8, x16) CMOS SDRAM 数据手册(1)

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三星 SDRAM 256Mb E-die (x4, x8, x16) CMOS SDRAM 数据手册(1)(1)

该文档详细介绍了三星256Mb E-die SDRAM 的型号、频率、接口、封装等信息

三星 K4S283233F - F(H)E/N/G/C/L/F February 2004 Mobile-SDRAM 说明书

K4S283233F是一种同步的高数据速率动态随机存取存储器，具有3.0V和3.3V电源供应，LVCMOS兼容的复用地址，四个银行操作，MRS周期和EMRS周期等特点。