IXYS IXFH 22N55 数据手册 这是IXFH 22 N55的数据手册，它是一款N沟道增强型雪崩额定、高dv/dt、低trr功率MOSFET。它的最大电压为550 V，连续电流为22 A，开关时间为250 ns。
IXYS IXFH 26N50P, IXFV 26N50P, IXFV 26N50PS 数据手册 26N50P是IXYS公司生产的一款N沟道MOSFET，其最大导通电流为26A，最小导通电阻为230mΩ，最大电压为500V。
IXYS IXFH/IXFT 24N50Q, IXFH/IXFT 26N50Q 数据手册 IXFH/IXFT 24N50Q 和 26N50Q 是 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型 Avalanche 额定、低 Qg、高 dv/dt 功率 MOSFET。
IXYS IXFH 26N60/IXFT 26N60/IXFK 28N60 数据手册 IXFH/IXFT IXFK是IXYS公司的N沟道增强型高dv/dt、低trr的600V功率MOSFET，其最大电压为600V，最大电流为26A/28A，开关速度快（trr为250ns），可用于电机驱动、开关电源等应用。
IXYS IXFH 28N50F, IXFT 28N50F 数据手册 该文件是关于IXYS公司的HiPerRFTM Power MOSFETs F-Class产品的技术信息文档。该产品是N通道增强型击穿额定、低Qg、低内部Rg、高dV/dt、低trr的RF电源MOSFET。
IXYS IXFH 16N90Q, IXFK 16N90Q, IXFT 16N90Q 数据手册 该文档主要介绍了 IXYS 公司的 Q-Class N 沟道增强型雪崩额定低 Qg、高 dv/dt 功率 MOSFET 产品的特点特性，包括最大额定值、特征值、封装形式、安装尺寸、典型应用电路等。
IXYS IXFH20N80Q, IXFK20N80Q, IXFT20N80Q 数据手册 IXFH20N80Q和IXFK20N80Q是IXYS公司的一款N沟道增强型雪崩额定低Qg、高dv/dt功率MOSFET。主要特点是低RDS(on)低Qg、雪崩能量和电流额定、快速本征整流器、易于安装、节省空间、高功率密度。
IXYS IXFH/IXFT/IXFX14N100, IXFH/IXFT/IXFX15N100 数据手册 该文件介绍了IXYS的N沟道增强型MOSFET产品的特点和特性，包括最大额定值、最大工作温度、最大电流等。
IXYS IXFH14N100Q2 数据手册 这份文件介绍了IXYS的HiPerFETTM功率MOSFET产品。该产品采用双金属工艺，具有低栅极电阻、国际标准封装、阻燃性能符合UL 94 V-0等特点。此外，该产品还具有低RDS(on)、低Qg、耐电压冲击和电流冲击等特性，适用于多种应用场景，如DC-DC转换器、开关模式和谐振模式电源、DC斩波器等。
