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IXYS IXTN 58N50，IXTN 61N50 数据手册

这份文件介绍了IXYS公司的高电流功率MOSFET产品。产品特点包括国际标准封装、3000V的隔离电压、低RDS（on）值、坚固的多晶硅栅结构、低漏极-壳体电容和低封装电感等。该产品适用于各种应用领域。

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IXTH 12N90是一款TO-247封装的N沟道增强型MOSFET，其最大电压为900V，最大电流为12A，开关时间快，适用于开关电源、逆变器等应用。

本文件为IXTQ 110N055P的datasheet，主要介绍了该产品的最大电压、额定电流、漏极电流、栅极-源极电压、漏极-源极电压、栅极-源极电流、漏极-源极电阻等参数。

该文件介绍了IXYS公司2005年生产的一款N-Channel Enhancement Mode功率MOSFET产品的特点和特性，包括国际标准封装、无钳位感应开关、低封装电感等。该产品易于安装，节省空间，具有高功率密度。

该文件介绍了 IXYS 公司生产的 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 产品的特点和特性，包括高电压、低 RDS(on)、坚固的多晶硅栅结构、快速开关时间等。该产品适用于开关模式和谐振模式电源、飞回式逆变器、直流斩波器、高频匹配等应用。

IXTA是IXYS公司生产的一款高压MOSFET，具有低RDS(on)、高可靠性、低封装电感等特点，适用于开关电源、逆变器等应用场合。

IXTA/IXTP 3N120和3N110是IXYS公司的高压功率MOSFET。它们具有国际标准的封装、低RDS（on）、unclamped Inductive load Switching（UIS）额定值和UL 94 V-0 阻燃性等优点。

5N50P是IXYS公司生产的一款N沟道增强型MOSFET，其特点是国际标准封装，无钳位电感开关（UIS）额定，低封装电感易于驱动和保护，具有易于安装、节省空间和高功率密度等优点。

该文件介绍了PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode的特点特性，包括国际标准包装、未钳位感应开关(UIS)额定、低包装电感等

本文档介绍了IXYS公司生产的一款电源MOSFET产品的特点和特性，具有高功率耗散、隔离安装表面、2500V电气隔离等特点。

该文件介绍了IXYS Corporation生产的MegaMOSTMFET N-Channel Enhancement Mode产品的特点和特性，包括国际标准封装、低RDS（on）、HDMOSTM工艺、坚固的多晶硅栅极结构和低封装电感。

这是 IXYS 公司的 10P50 和 11P50 型号的标准功率 MOSFET 器件的参数手册。该器件具有国际标准封装，低 RDS(on) HDMOSTM 工艺，坚固的聚硅栅单元结构，未夹紧的线圈开关 (UIS) 额定，低封装电感，易于驱动和保护。

该数据表提供了IXTH/IXTM 10N100和IXTH/IXTM 12N100的最大额定值、特性值、封装、引脚排列、应用、优点等信息。

IXTH 12 N50A是IXYS公司的一款N通道增强型功率MOSFET，最大电压500V，最大电流12A，最大阻抗0.4欧姆。