IXYS IXFE 80N50 数据手册 IXFE 80N50是一款N通道增强型雪崩额定功率MOSFET，具有低RDS（on）和高dv/dt。该器件采用HDMOSTM工艺，具有低RDS（on），坚固的多晶硅栅单元结构，无钳位感性开关（UIS）额定，低封装电感和快速固有整流器。
IXYS IXFH 6N100F, IXFT 6N100F 数据手册 该文档介绍了IXYS的产品特点和特性，包括RF能力、低门电阻、抗冲击能力、低包装电感、快速整流器等。适用于DC-DC转换器、开关电源、脉冲发生器、激光驱动器和射频放大器等应用。
IXYS IXGH24N50B IXGH24N60B 数据手册 IXGH24N50B/24N60B是IXYS生产的高频IGBT，具有高电流处理能力、高功率密度、高开关速度等特点，适用于交流电机速度控制、直流伺服和机器人驱动、直流斩波器、不间断电源、开关模式和谐振模式电源等领域。
IXYS DE375-501N21A Data Sheet DE375-501N21A RF Power MOSFET 是一款由 IXYS 公司生产的 RF 功率 MOSFET，其最大额定值为 VDSS = 500 V，ID25 = 25 A，RDS(on) = 0.22 Ω，PDC = 940 W。其特点是具有高隔离电压（>2500V）、优异的热传导、增加的温度和功率循环能力、低栅极电荷和电容、更容易驱动、更快的开关、低 RDS(on)、非常低的插入电感（<2nH）以及无氧化铍（BeO）等有害物质。
IXYS IXFH/IXFM21N50, IXFH/IXFM/IXFT24N50, IXFH/IXFT26N50 HiPerFET Power MOSFETs 21N50, 24N50, 26N50 是 IXYS 公司的 N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family 系列产品，具有低 RDS(on) HDMOSTM 工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、未箝位感应开关 (UIS) 额定、低封装电感-易于驱动和保护、快速固有整流器等特点。
IXYS DSS 25-0025B 数据手册 DSS 25-0025B是IXYS生产的肖特基整流器，具有国际标准封装、非常低的VF、极低的开关损耗、低IRM值、环氧树脂符合UL 94V-0。应用于开关电源中的整流器（SMPS）和低压转换器中的自由轮转二极管。
IXYS IXGH20N30 数据手册 ixys IXGH20N30是一款高功率密度、高开关速度的igbt，适用于ac电机速度控制、dc伺服和机器人驱动、dc斩波器、ups、开关模式和谐振模式电源等应用。
IXYS VUO 105 Data Sheet 该文档是关于 IXYS VUO 105-12NO7 1200V 140A 桥式整流器的数据手册，主要介绍了该产品的特点特性，包括最大电流、额定电压、封装方式、阻抗、额定电流等。
IXYS IXTU 01N80/IXTY 01N80 说明书 IXTU01N80是IXYS公司生产的一款高压MOSFET，其特点是具有国际标准的JEDEC TO-251 AA、TO-252 AA封装，低RDS(on) HDMOSTM工艺，坚固的多晶硅栅极单元结构和快速的开关时间。
IXYS IXTH 30N60P, IXTQ 30N60P, IXTT 30N60P, IXTV 30N60P, IXTV 30N60PS 数据手册 30N60P是IXYS公司生产的一款N沟道增强型雪崩额定功率MOSFET，其最大电压为600V，最大电流为30A，导通电阻小于240mΩ。产品具有快速恢复二极管、无钳位感性开关(UIS)额定、国际标准封装、低封装电感等特点。
IXYS IXTQ 36N50P/IXTT 36N50P 说明书 该文档介绍了IXYS生产的PolarHVTM Power MOSFET IXTQ 36N50P的特点和特性，包括国际标准封装、无钳位感应开关（UIS）评级、低封装电感等。
