IXYS IXTQ 64N25P/IXTT 64N25P 说明书 IXTQ 64N25P是IXYS生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，其最大额定电压为250V，最大电流为64A，典型RDS(on)为48mΩ。
IXYS IXTQ 69N30P, IXTT 69N30P 数据手册 IXTQ 69N30P is a N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET with VDSS = 300 V, ID25 = 69 A and RDS(on) = 49 mΩ. It features international standard packages, unclamped inductive switching (UIS) rating and low package inductance.
IXYS IXTU 01N100, IXTY 01N100 数据手册 01N100是IXYS公司生产的一款高压MOSFET，其特点是采用国际标准封装JEDEC TO-251 AA，具有低RDS(on)、坚固的聚硅栅极单元结构和快速开关时间。
IXYS IXTP 1R6N50P/IXTY 1R6N50P 说明书 IXTP 1R6N50P是IXYS生产的一款N-Channel Enhancement Mode功率MOSFET，其主要特征包括国际标准封装、不加钳电感开关(UIS)额定、低封装电感，易于驱动和保护。
IXYS IXTQ 110N10P IXTT 110N10P 数据手册 这是一款 N-Channel Enhancement Mode 的 MOSFET，其最大电压为 100V，最大电流为 110A，典型阻抗为 15 mΩ。
IXYS IXTH / IXTM 6N90A 数据手册 该文件介绍了IXYS公司生产的TO-204 AA (IXTM)和TO-247 AD (IXTH)型号的N沟道增强模式功率MOSFET。产品具有低RDS(on)、坚固的多晶硅栅电池结构、低包装电感等特点。适用于开关模式和谐振模式电源、电机控制、不间断电源和直流斩波器等应用。
IXYS IXTK 120N25 数据手册 这是一个关于IXTK 120N25 VDSS = 250 V ID25 = 120 A 产品的技术文档，介绍了该产品的特点特性，包括低 RDS（on）HDMOSTM 工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、国际标准封装、快速切换时间等。
IXYS IXTK 140N20P 说明书 IXTK 140N20P是一种高性能N沟道增强型功率MOSFET，其最大电压可达200V，最大电流可达140A。它具有国际标准封装、无钳位感性开关(UIS)额定、低封装电感等特点，易于驱动和保护。
