FAIRCHILD FDMA510PZ 说明书 FDMA510PZ是一款单极P通道PowerTrench®MOSFET，其最大漏源电压为–20V，最大漏源电流为–7.8A，最大导通电阻为30mΩ，具有低功耗、高耐压、高开关速度等特点，适用于电池充电或负载开关等应用。
FAIRCHILD FDMA530PZ 说明书 该文件介绍了2011年6月发布的FDMA530PZ单P-通道PowerTrench® MOSFET的特点和特性。该产品适用于电池充电或负载开关等超便携应用。它具有低导通电阻的MOSFET和出色的热性能。
FAIRCHILD FDMA6023PZT 说明书 FDMA6023PZT是一款双P-Channel PowerTrench® MOSFET，工作电压为-20V，最大漏源电阻为60 mΩ，适用于电池充电开关、电池管理和负载开关等应用。
FAIRCHILD FDMA7628 说明书 这是一份关于FDMA7628单N通道1.5V规定的PowerTrench® MOSFET的文档。该产品具有最大rDS(on)为14.5 mΩ，最大电压为20V，最大电流为9.4A，最大功耗为1.9W。它采用了低剖面设计，尺寸为2x2mm，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDMA7630 说明书 FDMA7630是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道功率MOSFET，其最大电压为30V，最大电流为11A，最大导通电阻为13mΩ。该器件采用MicroFET 2x2 mm封装，厚度仅0.8mm，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDMA7632 说明书 FDMA7632是Fairchild公司推出的一款N通道功率晶体管，其最大漏源电压为30V，最大电流为9A，典型导通电阻为19mΩ，在4.5V的栅源电压下，最大导通电阻为30mΩ，该器件采用MicroFET 2x2 mm的新封装，高度仅为0.8mm，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDMA8878 说明书 FDMA8878是一款单N通道高性能Power Trench MOSFET，具有极低的RDS(on)、快速的切换速度，符合RoHS标准。应用领域包括DC/DC Buck转换器、笔记本电池供电管理等。
FAIRCHILD FDMA8884 说明书 本文档介绍了2012年4月发布的FDMA8884 N-Channel Power Trench® MOSFET产品的特点和特性，包括最大导通电阻、高性能沟道技术、快速开关速度等。
FAIRCHILD FDMB2307NZ 说明书 该文件介绍了FDMB2307NZ双共源N沟道PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、低轮廓封装、HBM ESD保护等。该产品专为锂离子电池组保护电路和其他超便携应用而设计。
FAIRCHILD FDMB3800N 说明书 FDMB3800N是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款双N通道功率MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度、低门极电荷等特点
