FAIRCHILD FDMC8327L 说明书 FDMC8327L N-Channel PowerTrench® MOSFET是一种40 V、14 A、9.7 mΩ的N通道MOSFET。它具有低RDS(on)、低功耗和高可靠性等特点，适用于DC-DC转换应用。
FAIRCHILD FDMC8462 说明书 该文档是关于FDMC8462 N-Channel Power Trench® MOSFET的型号说明书，包括产品特点、最大额定值、应用、特性、技术参数等信息。
FAIRCHILD FDMC8554 说明书 FDMC8554 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道MOSFET，其特点是最大导通电阻5mΩ，封装为3.3x3.3 mm MicroFET，符合RoHS标准
FAIRCHILD FDMC8588DC 说明书(1) FDMC8588DC是一款N沟道PowerTrench® MOSFET，具有25V、40A、5.7 mΩ的特点。它具有先进的开关性能，降低了输出电容、门电阻和门电荷，提高了效率。采用屏蔽门技术，减少开关节点振铃，并增加了抗电磁干扰和交叉导通的能力。
FAIRCHILD FDMC86102 说明书 FDMC86102 N-Channel Power Trench® MOSFET 是一种高性能的功率MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度，可应用于DC-DC转换电路。
FAIRCHILD FDMC86102L 说明书 FDMC86102L是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N通道Power Trench® MOSFET，额定电压为100V，额定电流为18A，额定导通电阻为23mΩ。该产品具有超低的导通电阻，低封装高度，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDMC86102LZ 说明书 FDMC86102LZ N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道逻辑级MOSFET，采用先进的Power Trench®工艺制成，具有出色的开关性能和高ESD保护等特性。
FAIRCHILD FDMC86116LZ 说明书 FDMC86116LZ N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种逻辑电平MOSFET，其最大RDS(on)为103 mΩ，最大电流为7.5 A。它具有HBM ESD保护等级> 3 KV，100% UIL测试，RoHS兼容等特点。
FAIRCHILD FDMC86160 说明书 FDMC86160 N 通道 Power Trench® MOSFET 是一款 100V、43A、14 mΩ 的 MOSFET。该 MOSFET 采用 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench® 工艺，专门针对最小化导通电阻而定制。该器件非常适合需要在小空间内实现极低 RDS（on） 的高性能 VRM、POL 和 orring 功能的应用。
FAIRCHILD FDMC8622 说明书 FDMC8622是Fairchild Semiconductor推出的一款N通道MOSFET，具有极低的rDS(on)、高功率和电流处理能力，广泛应用于POE保护开关。
FAIRCHILD FDMC86240 说明书 FDMC86240 N-Channel Power Trench® MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor生产的高性能MOSFET，其最大导通电阻仅为51 mΩ，适用于DC-DC转换等应用。
FAIRCHILD FDMC86244 说明书 FDMC86244是Fairchild Semiconductor生产的一款N通道功率MOSFET，采用了该公司的先进Power Trench®工艺，具有低RDS(on)和优异的开关性能。
FAIRCHILD FDMC86248 说明书 FDMC86248 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的一款高性能产品，具有最大电阻率为90 mΩ的特点，可用于主要MOSFET和MV同步整流器MOSFET等应用。
FAIRCHILD FDG8842CZ 说明书 FDG8842CZ Complementary PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的高性能、低压开关元件，可满足低压应用的需求。该器件采用Fairchild专有的高单元密度DMOS工艺，具有极低的开关损耗，可用于各种低压应用。
