FAIRCHILD FDD050N03B N-Channel PowerTrench78 MOSFET 数据手册 该文档介绍了FDD050N03B N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括低导通电阻、快速开关速度、低栅电荷、高功率和电流处理能力等。
FAIRCHILD FDC8886 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册 FDC8886是Fairchild Semiconductor生产的一种高性能N沟道功率MOSFET，其最大导通电阻为23mΩ，可实现快速开关速度。
FAIRCHILD FDC8884 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册 该文档介绍了FDC8884 N-Channel Power Trench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、快速开关速度等。
FAIRCHILD FDC8878 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 该文档介绍了FDC8878 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、快速开关速度等。
FAIRCHILD FDC86244 说明书 FDC86244 N 通道 Power Trench® MOSFET 是一款高性能功率 MOSFET ，具有极低的 rDS(on) ，可实现高速切换，适用于负载开关、同步整流器和主开关等应用
FAIRCHILD FDC8602 说明书 FDC8602是Fairchild Semiconductor生产的一款双N通道PowerTrench MOSFET，具有极低的RDS(on)，高功率和电流处理能力，适用于负载开关和同步整流应用。
FAIRCHILD FDC8601 说明书 FDC8601是Fairchild Semiconductor公司生产的一款N通道功率MOSFET，具有极低的rDS(on)、高功率和电流处理能力，广泛应用于负载开关、同步整流器和主开关等电路。
FAIRCHILD FDC855N 说明书 FDC855N是Fairchild Semiconductor生产的N通道逻辑级MOSFET，具有30V、6.1A、27mΩ的特点，适用于低压和电池供电的应用场合。
FAIRCHILD FDC658P 说明书 FDC658P是Fairchild Semiconductor生产的P通道逻辑级MOSFET，具有极低的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于笔记本电脑应用，如负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。
FAIRCHILD FDC6561AN 说明书 这份文档介绍了1999年4月发布的FDC6561AN双N沟道逻辑电平PowerTrenchTM MOSFET。该产品具有2.5A、30V的电流和电压特性，采用了Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺，具有低导通电阻和低门电荷，以实现卓越的开关性能。该产品适用于小尺寸设备，特别适用于电池供电系统中的低成本DC/DC转换。
FAIRCHILD FDC653N 说明书 FDC653N是Fairchild生产的N通道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild专有的高密度DMOS工艺，特别适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMICA卡和其他需要快速切换和低线损的极小型外形表面贴装封装的电池供电电路。
FAIRCHILD FDC6506P 说明书 FDC6506P是Fairchild Semiconductor生产的P通道逻辑级MOSFET，采用Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench工艺生产，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于负载开关、电池保护和电源管理等应用场合。
FAIRCHILD FDC642P 说明书 FDC642P是一种单通道2.5V规定功率型MOSFET，具有快速开关速度、低门电荷和极低的导通电阻等特点。它采用了Fairchild的先进PowerTrench®工艺，以最小化导通电阻并保持低门电荷，实现卓越的开关性能。
FAIRCHILD FDC6420C 说明书 FDC6420C是Fairchild Semiconductor生产的一款20V N & P-Channel MOSFET，采用先进的PowerTrench工艺制造，具有极低的RDS(ON)和优异的开关性能。该器件采用SuperSOT-6封装，具有72%更小的占用空间和1mm的厚度。
FAIRCHILD FDC640P 说明书 FDC640P是一款采用Fairchild先进PowerTrench工艺的坚固的2.5V P通道MOSFET。它经过优化，可在2.5V-12V的广泛栅极驱动电压范围内用于电源管理应用。
FAIRCHILD FDC6401N 说明书 这份文件介绍了FDC6401N型号的双N沟道MOSFET，该产品专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它具有低栅极电荷、低RDS（ON）和快速开关速度的优化设计。
