FAIRCHILD FDD5N60NZ N-Channel MOSFET 数据手册 本文件为FDD5N60NZ N-Channel MOSFET的技术手册。该器件是一款N沟道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild公司专有的平面条纹DMOS技术。该技术经过专门定制，可最大限度地降低导通电阻，提供更快的开关速度，并具有优异的dv/dt 能力。
FAIRCHILD FDD5N53/FDU5N53 N-Channel MOSFET 数据手册 该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FDD5N53/FDU5N53 N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括低导通电阻、低门电荷、快速开关等。
FAIRCHILD FDD5N50U N-Channel MOSFET, FRFET 数据手册 FDD5N50U是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N通道增强型功率场效应晶体管，它采用Fairchild的专有平面条纹DOMS技术，具有低RDS(on)、低门控电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和RoHS兼容性。
FAIRCHILD FDD5N50NZF N-Channel MOSFET 数据手册 FDD5N50NZF是Fairchild生产的一款N沟道增强型功率场效应晶体管，具有低RDS(on)、低栅极电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、ESD改进能力和RoHS合规性等特点。
FAIRCHILD FDD5N50NZ N-Channel MOSFET 数据手册 FDD5N50NZ是一款N沟道MOSFET，其最大电压为500V，最大电流为4A，开关速度快，并通过100%的雪崩测试。
FAIRCHILD FDD5N50 N-Channel MOSFET 数据手册 该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FDD5N50 N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括最大额定电压、最大额定电流、低电荷、快速切换等。
FAIRCHILD FDD5690 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档介绍了一款名为PowerTrench® MOSFET的N沟道功率MOSFET。该产品具有60V的漏极-源极电压，最大漏极电流为30A，最大脉冲漏极电流为100A。其最大功率耗散为50W。该产品具有良好的热特性，操作和存储温度范围为-55至+150摄氏度。
FAIRCHILD FDD5680 N-Channel, PowerTrench MOSFET 数据手册 FDD5680是Fairchild Semiconductor生产的N沟道MOSFET，其特点是RDS(on)低，开关速度快，应用于DC/DC转换器和电机驱动等领域。
FAIRCHILD FDD5670 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDD5670是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N沟道MOSFET，特点是低门极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度，额定电压为60V，额定电流为52A。
FAIRCHILD FDD5614P 60V P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDD5614P 60V P-Channel PowerTrench® MOSFET 是Fairchild 公司生产的一种高性能功率开关器件，适用于电源管理、DC/DC转换器、负载开关等应用。
FAIRCHILD FDD5612 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDD5612 是 Fairchild Semiconductor 公司生产的一款 N 沟道 PowerTrench MOSFET，该 MOSFET 具有 18 A、60 V 的额定功率，RDS(ON) 为 55 mΩ@VGS = 10 V，64 mΩ@VGS = 6 V。该 MOSFET 适用于高频 DC/DC 转换器，具有低栅极电荷和非常快的开关速度。
FAIRCHILD FDD5353 N-Channel Power Trench MOSFET 数据手册 FDD5353 N-Channel Power Trench® MOSFET 60V, 50A, 12.3mΩ 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款高性能MOSFET产品，它具有优异的开关性能和低导通电阻。
FAIRCHILD FDD4685 40V P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 该文件介绍了2006年10月发布的FDD4685 40V P-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性。
FAIRCHILD FDD4243 40V P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FDD4243 40V P-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性。
FAIRCHILD FDD4141 P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDD4141 P-Channel PowerTrench® MOSFET 是一种低 rDS(on) P 通道 MOSFET，应用于开关电源和逆变器等应用。
FAIRCHILD FDD3N50NZ N-Channel MOSFET 数据手册 该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FDD3N50NZ N-Channel MOSFET的特点和特性，如低电阻、低电荷、快速开关、100%的avalanche测试等。
FAIRCHILD FDD3N40/FDU3N40 400V N-Channel MOSFET 数据手册 FDD3N40 / FDU3N40 400V N-Channel MOSFET 是 Fairchild 推出的一款 N 通道增强型功率场效应晶体管，采用 Fairchild 的专有平面条纹 DMOS 技术制造，具备低导通电阻、快速开关、100% 雪崩测试以及改进的 dv/dt 能力等特点。
FAIRCHILD FDG6335N 20v N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDG6335N是一款20V N通道PowerTrench MOSFET，其低RDS(ON)和低QG特性使其非常适合应用于DC/DC转换器、电源管理和负载开关等场合。
FAIRCHILD FDG6332C 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs 数据手册 FDG6332C是Fairchild Semiconductor Corporation生产的20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs，具有低门极电荷、极低的RDS(ON)，适用于DC/DC转换器、负载开关等应用。
FAIRCHILD FDG6322C Dual N & P Channel Digital FET 数据手册 FDG6322C是Fairchild生产的一款双N和P通道逻辑级增强型场效应晶体管。它具有非常小的封装尺寸和低压驱动要求，可以直接在3V电路中工作。该器件设计用于替代双极性数字晶体管和小信号MOSFET，并且不需要偏置电阻。
