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LOWRANCE X87, X88DF, X97, X98DF Fish-finding & Depth Sounding Sonars Operation Instructions

本手册介绍了X87, X88DF, X97, X98DF鱼探仪和测深声纳的功能和规格, 以及如何安装和使用这些设备。

FAIRCHILD FDD390N15ALZ 说明书

FDD390N15ALZ是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道MOSFET，其最大额定电压为150V，最大连续电流为26A，开关速度快，门极电荷低，具有高性能、低RDS(on)、高功率和电流处理能力。

FAIRCHILD FDD390N15A 说明书

FDD390N15A N-Channel PowerTrench® MOSFET，是Fairchild Semiconductor生产的一种N沟道MOSFET，采用先进的PowerTrench工艺，具有低RDS(on)和高开关速度等特点。

FAIRCHILD FDD3860 说明书

FDD3860是Fairchild Semiconductor公司生产的一款N沟道MOSFET，具有极低的导通电阻，并且通过了100%的UIL测试，符合RoHS标准。

FAIRCHILD FDD3706/FDU3706 说明书

FDD3706/FDU3706是Fairchild Semiconductor Corp.推出的一款N沟道MOSFET，该器件具有低导通电阻、低栅极电荷、快速开关速度等特点，适用于DC/DC转换器和电机驱动等应用

FAIRCHILD FDD3690 说明书

该文档介绍了FDD3690型号的N沟道功率MOSFET，该器件专为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，具有更快的开关速度和更低的门电荷。它适用于同步或传统开关PWM控制器。该MOSFET易于驱动，即使在非常高的频率下也更安全，并且具有更高的整体效率。

FAIRCHILD FDD3682 说明书

FDD3682 是 Fairchild Semiconductor 生产的一款 N 通道 MOSFET，具有 100V 的最大电压、32A 的最大电流和 36mΩ 的典型导通电阻。该产品采用 PowerTrench 技术，具有低米勒电荷和低 QRR 体二极管特性，通过了 AEC Q101 认证，适用于 DC/DC 转换器和离线 UPS、分布式电源架构和 VRM、24V 和 48V 系统的主开关、高压同步整流器、直接喷射/柴油喷射系统、42V 汽车负载控制和电子凸轮轴系统等应用。

FAIRCHILD FDD3680 说明书

该文件介绍了FDD3680型号的N沟道功率MOSFET，该器件专为提高直流/直流转换器的整体效率而设计。它具有更快的开关速度和更低的门电荷，比其他具有相似RDS(ON)规格的MOSFET更容易和更安全驱动（甚至在非常高的频率下）。通过使用这种MOSFET，可以设计具有更高整体效率的直流/直流电源。

FAIRCHILD FDD3672 说明书

该文件介绍了FDD3672 N-Channel UltraFET® Trench MOSFET的特点和特性，包括额定电压、电流、导通电阻、总电荷等参数。

FAIRCHILD FDD3670 说明书

该产品是一款100V N-Channel PowerTrench MOSFET，额定电流为34A，额定开关电压为100V，门极电压为±20V，开关速度快，门极电荷低，具有高功率和电流处理能力。

FAIRCHILD FDD3510H 说明书

FDD3510H是Fairchild Semiconductor生产的双N和P通道增强型功率MOSFET，采用了该公司先进的PowerTrench®工艺，该工艺专门针对最小化开关状态电阻而设计，同时仍能保持卓越的开关性能。

FAIRCHILD FDD306P 说明书

FDD306P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench ® MOSFET 是一款高性能低电压功率晶体管，具有极低的导通电阻（R DS(ON) = 28 m Ω @ V GS = –4.5 V），可用于 DC/DC 转换器等应用

FAIRCHILD FDD2670 说明书

该文件是FDD2670的英文数据表，介绍了FDD2670的特性，包括额定电压、额定电流、开关速度等

FAIRCHILD FDD2582 N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 21A, 66mOhm 数据手册

FDD2582是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N型MOSFET，最大电压为150V，最大电流为21A，典型导通电阻为58mΩ。

FAIRCHILD FDD2572 / FDU2572 N-Channel UltraFET® Trench MOSFET 150V, 29A, 54mOhm 数据手册

FDD2572 / FDU2572是一种N沟道PowerTrench® MOSFET功率场效应晶体管，具有150V电压、29A电流和54mΩ的导通电阻。它具有低Miller电荷、低QRR体二极管、UIS能力和符合AEC Q101标准等特点。

FAIRCHILD FDD18N20LZ N-Channel MOSFET 数据手册

这份文档介绍了FDD18N20LZ N-Channel MOSFET的特点特性，包括最大额定电压、最大漏极电流、热特性等。

FAIRCHILD FDD16AN08A0 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 50A, 13mOhm 数据手册

FDD16AN08A0是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道超级沟槽MOSFET，其特点是Rds(on)为13mOhm(典型值)，Vgs为10V，ID为50A，Qg(tot)为31nC(典型值)，Vgs为10V，低Miller充电，低Qrr体二极管，UIS能力(单脉冲和重复脉冲)，合格AEC Q101，以前为开发型82660。应用包括42V汽车负载控制、起动/交流发电机系统、电子动力转向系统、电子气门杆系统、DC-DC转换器和离线UPS、分布式电源体系结构和VRM、24V和48V系统的主开关。

FAIRCHILD FDP120AN15A0 / FDD120AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 14A, 120mOhm 数据手册

FDP120AN15A0 / FDD120AN15A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 14A, 120mΩ 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种低漏电流、低导通电阻、高耐压、高耐温的N沟道MOSFET，适用于DC/DC Converters和Off-line UPS、Distributed Power Architectures和VRMs、Primary Switch for 24V and 48V Systems、High Voltage Synchronous Rectifier、Direct Injection / Diesel Injection Systems、Electronic Valve Train Systems等应用场景。

FAIRCHILD FDD10N20LZ N-Channel MOSFET 数据手册

FDD10N20LZ是Fairchild公司生产的一款N沟道MOSFET，其最大电压为200V，最大电流为7.6A。该产品具有低RDS(on)、低门控电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和RoHS合规性等特点。

FAIRCHILD FDD10AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 10.5mOhm 数据手册

该文件介绍了FDD10AN06A0 N-沟道功率MOSFET的特点和特性，包括其电阻、电荷和耐压等参数。