FAIRCHILD FDB024N06 说明书 FDB024N06 N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款高性能N沟道MOSFET，该器件具有低RDS(on)、高开关速度、低栅极电荷等特点，适用于DC/DC转换器、同步整流等应用场合。
FAIRCHILD FDA8440 说明书 FDA8440 N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款40V，100A，2.1mΩ的功率MOSFET。主要应用于汽车发动机控制，动力总成管理，电动机，电磁铁，电子转向，集成起动器/交流发电机，分布式功率架构和VRMs等领域。
FAIRCHILD FDA70N20 说明书 FDA70N20 200V N-Channel MOSFET是一款低阻抗、高性能的N沟道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild的专利平面条纹DMOS技术制造，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力，适用于高效开关电源和有源功率因数校正。
FAIRCHILD FDA69N25 说明书 该文件介绍了Fairchild半导体公司的UniFET TM FDA69N25 250V N-通道MOSFET产品的特点，包括69A的电流、250V的电压、低电荷和快速开关等特性。
FAIRCHILD FDA59N30 说明书 FDA59N30是Fairchild公司生产的一款300V N沟道MOSFET，具有59A的最大电流、0.056欧姆的导通电阻、77纳库的栅极电荷、80皮法的电容，具有快速的开关速度、100%的雪崩测试和改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FDA59N25 说明书 FDA59N25是Fairchild生产的一款250V的N沟道MOSFET，具有59A的最大电流，0.049Ω的RDS(on)，63nC的门控电荷，70pF的Crss，是高效开关模式电源和有源功率因数校正的理想选择。
FAIRCHILD FDA38N30 说明书 该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FDA38N30 N型MOSFET，特点包括300V的漏源电压、38A的漏极电流、0.085Ω的导通电阻、低栅极电荷、快速开关、100%的电击测试等。该产品适用于高效的开关模式电源和有源功率因数校正。
FAIRCHILD FDA28N50F 说明书 这份文件介绍了Fairchild公司的UniFET TM FDA28N50F N-Channel MOSFET，该产品具有500V的电压、28A的电流和0.175Ω的电阻。其特点包括低门电荷、低输出电容、快速开关、100%的雪崩测试、改进的dv/dt能力和符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDA28N50 说明书 该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的UniFET TM FDA28N50 N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括500V的额定电压、28A的额定电流、0.155Ω的导通电阻等。
FAIRCHILD FDA24N50F 说明书 该文档介绍了Fairchild半导体公司的UniFET TM FDA24N50F N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括500V的漏极到源极电压，24A的漏极电流，0.2Ω的导通电阻等。
FAIRCHILD FDA24N50 说明书 FDA24N50 N-Channel MOSFET是Fairchild公司生产的一款高性能MOSFET，具有低阻抗、低栅极电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试等特点，非常适合高效的电源转换和有源功率因数校正应用。
FAIRCHILD FDA24N40F 说明书 该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的UniFET TM FDA24N40F N-Channel MOSFET的特性和特点。它具有400V电压、23A电流、0.19Ω电阻等特点，适用于高效的开关模式电源和主动功率因数校正。
FAIRCHILD FDA20N50F 说明书 FDA20N50F N-Channel MOSFET是一款高性能N沟道增强型功率场效应晶体管，由Fairchild生产。该器件具有低导通电阻、低栅极电容、快速开关速度、100%雪崩测试等特点，适用于高效开关模式电源和有源功率因数校正等应用。
FAIRCHILD FDA20N50 / FDA20N50_F109 说明书 FDA20N50 / FDA20N50_F109 500V N-Channel MOSFET 是一款由Fairchild生产的采用DMOS技术的N通道增强型功率场效应晶体管。它具有22A，500V，RDS(on) = 0.23Ω @VGS = 10 V，低栅极电荷（典型值45.6 nC），低Crss（典型值27 pF），快速开关，100％雪崩测试，改善的dv/dt能力等特点。
FAIRCHILD FDA18N50 说明书 该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation公司的UniFET TM FDA18N50 500V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括19A的电流、500V的电压、低的电荷和电容、快速开关速度等。
FAIRCHILD FDA16N50 / FDA16N50_F109 说明书 FDA16N50 / FDA16N50_F109 500V N-Channel MOSFET 是一款低阻抗、低栅极电荷、低寄生电容、高开关速度、100% 雪崩测试的 N 沟道 MOSFET。
FAIRCHILD FDA15N65 说明书 该文件介绍了UniFET TM系列的FDA15N65 650V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括16A的电流、650V的电压、0.44Ω的导通电阻、低门电荷、快速开关速度等。
FAIRCHILD FDA032N08 说明书 FDA032N08是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N通道MOSFET，具有低RDS(on)、高开关速度、低栅极电荷、高性能Trench技术等特点，适用于DC/DC转换器/同步整流等应用场合。
FAIRCHILD FCP7N60N / FCPF7N60NT 说明书 SupreMOS TM FCP7N60N/FCPF7N60NT N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款高压超结MOSFET，采用深沟填充工艺，RDS(on)典型值为0.46欧姆，Qg典型值为17.8纳法，符合RoHS标准。
