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FDME1023PZT双P通道功率沟槽MOSFET是一款 -20 V，-2.6 A，142 mΩ 的电源开关，具有低开关导通电阻和低功耗特性。

FDME1024NZT Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款双N通道功率MOSFET，具有20 V、3.8 A、66 mΩ的特性，低功耗，适用于手机等应用。

MiniMOS系列是高性能，低电阻，高可靠性的功率MOSFET产品。

MiniMOS系列采用摩托罗拉的高密度HDTMOS工艺制造，具有超低RDS(on)和真正的逻辑级性能

该文件介绍了FDME1034CZT互补PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括N通道和P通道的最大导通电阻、低轮廓设计、无卤化合物和锑氧化物、静电放电保护等。

Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data介绍了MiniMOS系列的功率MOSFETs产品特点，包括超低RDS(on)和真正的逻辑电平性能。该产品适用于低压、高速开关应用，能够承受高能量的雪崩和换向模式，并具有非常低的漏-源二极管反向恢复时间。

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MiniMOS设备是高性能的功率MOSFET器件，可在低压、高频应用中实现高效电能转换。

该文件介绍了FDME510PZT P-Channel PowerTrench®MOSFET的特点和特性，包括最大的导通电阻、低外形高度、无卤化合物和锑氧化物、静电保护等。

该文件介绍了FDME820NZT N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、低剖面、无卤素化合物和锑氧化物、HBM ESD保护级别等。

该文档介绍了FDME905PT P-Channel PowerTrench® MOSFET的特点特性，包括最大导通电阻、低电阻MOSFET、微型封装以及符合RoHS标准等。

FDME910PZT P-Channel PowerTrench® MOSFET是一款低RDS(on)、低封装高度的MOSFET，适用于电池充电或负载开关等应用。

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FDML7610S是Fairchild Semiconductor Corporation生产的双N通道功率MOSFET，额定工作电压为30V，额定电流为30A。最大导通电阻为7.5mΩ。

Motorola TMOS Power MOSFET晶体管是一种中功率表面贴装产品，采用Motorola的High Cell Density HDTMOS工艺。这些微型表面贴装MOSFET具有超低的RDS（on）和真正的逻辑电平性能。它们能够承受雪崩和换向模式中的高能量，且漏极-源极二极管具有非常低的反向恢复时间。MiniMOS器件设计用于低压、高速开关应用，重视功率效率。典型应用包括DC-DC转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、手机和无绳电话。它们还可以用于磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品中的低压电机控制。雪崩能量的规定消除了在开关感应负载时设计中的猜测，并为意外电压瞬变提供了额外的安全裕量。

FDMQ8203 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款双N通道和双P通道PowerTrench® MOSFET。它具有100V、6A、110mΩ的N通道和-80V、-6A、190mΩ的P通道。

FDMQ8403是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款N通道功率MOSFET，额定电压为100V，额定电流为6A，最大导通电阻为110mΩ。

该文件介绍了FDMS015N04B N-Channel PowerTrench® MOSFET的最大额定值、热特性和特点。该产品具有低RDS(on)和高效率的特点，并且采用了先进的封装和硅材料组合。适用于服务器/电信电源单元、电池充电器和电池保护电路、直流电机驱动和不间断电源等应用。

该文件介绍了Motorola TMOS Power MOSFET Transistor的特点和特性。这些器件采用了Motorola的High Cell Density TMOS工艺，并包含单片的反向并联稳压二极管，提供了防静电击和突发电压的保护。这些微型表面贴装MOSFET具有超低的RDS(on)和真正的逻辑电平性能。它们能够承受雪崩和换向模式中的高能量，并且漏极-源极二极管具有非常低的反向恢复时间。EZFET器件设计用于低电压、高速开关应用，具有重要的功率效率。典型应用包括DC-DC转换器、便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、手机和无绳电话。它们还可用于磁存储产品（如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制。

Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data is an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density TMOS process. HDTMOS devices are designed for use in low voltage, high speed switching applications where power efficiency is important. Typical applications are dc–dc converters, and power management in portable and battery powered products such as computers, printers, cellular and cordless phones. They can also be used for low voltage motor controls in mass storage products such as disk drives and tape drives.