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FAIRCHILD FDMS7556S 说明书

FDMS7556S N-Channel Power Trench® SyncFETTM是一款低rDS(on)和高效率的MOSFET。它具有1.2 mΩ的最大rDS(on)和高效的单片Schottky体二极管。它适用于同步降压转换器、笔记本电脑、服务器、电信和高效DC-DC开关模式电源。

FAIRCHILD FDMS6681Z 说明书

该文件介绍了2009年5月发布的FDMS6681Z P-Channel PowerTrench® MOSFET产品的特点和特性，包括最大电阻、高ESD保护等。

FAIRCHILD FDMS6673BZ 说明书

The FDMS6673BZ P-Channel PowerTrench® MOSFET is a high-performance device designed for use in load switch applications. It features an advanced package and silicon combination for low rDS(on), and an HBM ESD protection level of 8 kV typical.

FAIRCHILD FDMS5672 说明书

该文件介绍了FDMS5672 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET产品的特点和特性，包括最大rDS(on)、最大Qg、低Miller电荷和在高频率下的优化效率。

FAIRCHILD FDMS5352 说明书

该文档是FDMS5352 N-Channel Power Trench® MOSFET的datasheet，介绍了其特点特性，包括最大电压、最大电流、最大导通电阻、最小导通电阻、应用场景等。

FAIRCHILD FDMS4435BZ 说明书

FDMS4435BZ是Fairchild Semiconductor生产的P通道MOSFET，采用先进的Power Trench®工艺制造，具有极低的导通电阻。适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。

FAIRCHILD FDMS3686S 说明书

FDMS3686S PowerTrench® Power Stage是一款双向N通道MOSFET，具有低RDS(on)、低封装电感和优化的布局，可提供更高的功率效率。

FAIRCHILD FDMS3672 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET 说明书

FDMS3672 N-Channel UltraFET Trench MOSFET，最大RDS(on)为23mΩ，最大ID为22A，典型Qg为31nC。该产品适用于高频DC-DC转换器应用。

FAIRCHILD FDMS3668S 说明书

FDMS3668S是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款双N通道MOSFET，其特点是低压降和低导通电阻，适用于计算机、通信、通用用途点负载和笔记本电脑等应用。

ON MMSZ2V4ET1 Series Zener Voltage Regulators 500 mW SOD−123 Surface Mount 数据手册(1)

该数据表格主要介绍了MMSZ2V4ET1系列的二极管产品的特点特性，包括额定功率、最大功率、电压范围等。

FAIRCHILD FDN372S 30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™ 说明书

The FDN372S is a 30V N-channel power trench SyncFET™ MOSFET designed to maximize power conversion efficiency with low Rds(on) and low gate charge. It is ideal as a low side switch in a synchronous converter.

FAIRCHILD FDN361BN 说明书

FDN361BN 是一种 30V N 通道逻辑级 PowerTrench MOSFET，其开关速度快，线损低。适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA 卡等低压应用。

FAIRCHILD FDN360P 说明书

该文档介绍了Fairchild Semiconductor公司生产的FDN360P单P沟道功率MOSFET。该器件采用先进的Power Trench工艺生产，具有低导通电阻和低栅极电荷，以实现卓越的开关性能。适用于低压和电池供电应用，要求低线路功耗和快速开关。

FAIRCHILD FDN359BN 说明书

FDN359BN是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N通道逻辑级MOSFET，该MOSFET使用了Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺，通过该工艺可以将导通电阻最小化，同时保持优异的开关性能。该器件适用于低电压和电池供电的应用场合，在这些应用场合中，需要低的线路功耗和快速切换。

FAIRCHILD FDN359AN 说明书

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FAIRCHILD FDN358P 说明书

FDN358P是一款P型逻辑级MOSFET，使用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench工艺制成，该工艺专门针对最小化开启状态电阻而设计，同时保持低栅极电荷，从而实现卓越的开关性能。这些器件非常适合便携式电子应用:负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。

FAIRCHILD FDN357N 说明书

FDN357N是一款N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，具有极低的RDS(ON)，适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA卡等低压应用场景。

FAIRCHILD FDN352AP 说明书

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FAIRCHILD FDN342P 说明书

该数据表格列出了FDN342P的数据信息，包括绝对最大额定值、电气特性、封装外形和订购信息等。

FAIRCHILD FDN340P 说明书(1)

该数据表是关于FDN340P的，它是一款由Fairchild Semiconductor Corporation生产的单P通道逻辑级MOSFET。该器件具有非常低的RDS(ON)（70mΩ@VGS=-4.5V）和低门控电荷（7.2nC典型值），适用于负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换等便携式电子应用。