FAIRCHILD FDMC8200 说明书 FDMC8200是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道功率MOSFET产品，其特点是具有9.5mΩ和20mΩ的低RDS(on)，适用于移动计算、移动互联网设备等应用场景。
FAIRCHILD FDMC8030 说明书 FDMC8030是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N沟道MOSFET，额定电压为40V，额定电流为12A，典型阻抗为10mΩ。
FAIRCHILD FDMC8026S 说明书 FDMC8026S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 是 Fairchild Semiconductor Corporation 推出的一款 30 V, 21 A, 4.4 mΩ 的 MOSFET。该器件具有低 rDS(on)、高效率、SyncFET Schottky Body Diode 和 MSL1 坚固的封装设计等特点。
FAIRCHILD FDMC8010 说明书 该文档介绍了FDMC8010 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、高性能技术、无铅和符合RoHS标准的终端等。
FAIRCHILD FDMC7696 说明书 FDMC7696 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款高性能、低阻抗的N沟道MOSFET，适用于笔记本电脑和便携式电池组的功率管理和负载开关应用。
FAIRCHILD FDMC7692S 说明书 FDMC7692S是一款N沟道功率沟槽同步场效应晶体管，工作电压为30V，最大漏源电阻为9.3mΩ，适用于笔记本电脑和便携式电池组的电源管理和负载开关应用。
FAIRCHILD FDMC7692 说明书 FDMC7692 N-Channel Power Trench® MOSFET是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有极低的rDS(on)，适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
FAIRCHILD FDMC7680 说明书 FDMC7680是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道功率MOSFET，具有极低的导通电阻（7.2 mΩ），适用于笔记本电脑和便携式电池组的功率管理和负载开关应用。
FAIRCHILD FDMC7678 说明书 FDMC7678是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道MOSFET，其最大电压为30V，最大电流为19.5A，最大导通电阻为5.3mΩ。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
FAIRCHILD FDMC7672S 说明书 FDMC7672S 是 Fairchild Semiconductor 生产的一种高性能 N 沟道功率晶体管，具有极低的开关电阻。它适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
FAIRCHILD FDMC7664 说明书 FDMC7664是一种N-Channel PowerTrench® MOSFET，特点是最大电阻为4.2 mΩ，适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。
FAIRCHILD FDMC7660DC 说明书 FDMC7660DC N 通道双冷通 PowerTrench ® MOSFET 是一款 30 V、40 A、2.2 mΩ 的 MOSFET。它采用了 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench ® 工艺制造。该器件集成了硅和双冷通封装技术的优势，可提供极低的 rDS(on) 同时还具有极低的 Junction-to-Ambient 热阻，从而保持出色的开关性能。该器件非常适合用于 DC/DC 转换器的同步整流器、电信次级侧整流器和高端服务器/工作站。
FAIRCHILD FDMC7660 说明书 FDMC7660 N-Channel PowerTrench® MOSFET，是一款高性能的N-通道MOSFET，其特点是具有极低的导通电阻，适用于笔记本电脑和便携式电池组等负载开关应用场合。
FAIRCHILD FDMC7572S 说明书 FDMC7572S N-Channel Power Trench® SyncFETTM 是一款低 rDS(on) 和高效率的 MOSFET 设备，可用于同步整流器、Notebook Vcore / GPU 低侧开关、Networking Point of Load 低侧开关和 Telecom 二次侧整流器等应用。
FAIRCHILD FDMC6890NZ 说明书 FDMC6890NZ是用于DC到DC转换器的紧凑型单片解决方案，具有出色的热性能和开关特性。该产品内部采用Power33封装，内置2个具有低导通电阻和低栅极电荷的N通道MOSFET，可最大程度地提高电源转换和开关效率。Q1开关还集成了对未夹紧电压输入的栅极保护。
