FAIRCHILD FDMS0312S 说明书 FDMS0312S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 是 Fairchild Semiconductor Corporation 推出的一款 30 V、42 A、4.9 mΩ 的 N 沟道功率晶体管。该产品采用先进的封装和硅技术组合，具有低 rDS(on) 和高效率的特点。该产品还具有高效的单片 Schottky 体二极管，MSL1 坚固的封装设计，100% UIL 测试，符合 RoHS 标准。
FAIRCHILD FDMS039N08B 说明书 FDMS039N08B N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款低RDS(on)、低FOM、低反向恢复电荷的N沟道MOSFET，适用于同步整流、电池充电器、电机驱动等应用
FAIRCHILD FDMS2504SDC 说明书 FDMS2504SDC是一款N-Channel MOSFET，采用Fairchild Semiconductor公司的先进PowerTrench®工艺生产。它具有极低的rDS(on)和优秀的开关性能，并且具有高效的单片肖特基二极管。
DIODES MMST2222A 数据手册 MMST2222A 是 Diodes 公司生产的一款 NPN 小信号表面贴装晶体管，封装形式为 SOT-323，额定最大集电极-发射极电压为 40 V，最大集电极-基极电压为 75 V，最大发射极-基极电压为 6.0 V，最大集电极电流为 600 mA，最大功耗为 200 mW，最大热阻为 625 °C/W，工作温度范围为 -55 至 +150 °C
FAIRCHILD FDMS2506SDC 说明书 FDMS2506SDC是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N通道MOSFET。该器件采用双冷却顶部散热PQFN封装，具有极低的RDS(on)和高性能技术。应用范围包括DC/DC转换器中的同步整流器、电信次级侧整流和高端服务器/工作站Vcore低侧MOSFET。
FAIRCHILD FDMS2508SDC 说明书 FDMS2508SDC是Fairchild Semiconductor生产的N通道MOSFET，该器件采用先进的PowerTrench®工艺，具有极低的rDS(on)和极低的Junction-to-Ambient热阻，非常适合DC/DC转换器、电信二次侧整流和高端服务器/工作站Vcore低侧MOSFET应用。
FAIRCHILD FDMS2510SDC 说明书 这份文档介绍了FDMS2510SDC N-Channel Dual CoolTM PowerTrench® SyncFETTM的特点和特性，包括最大的导通电阻、高性能技术、SyncFET肖特基二极管等。
FAIRCHILD FDMS2572 说明书 FDMS2572是一款N沟道超FET Trench MOSFET，具有最大的rDS(on)为47mΩ，在VGS=10V，ID=4.5A时。它还具有低Miller电荷和高频效率优化特性，适用于高频DC到DC变换器。
FAIRCHILD FDMS2672 说明书 FDMS2672 N-Channel UltraFET Trench MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款200V、20A、77mΩ的MOSFET。该器件具有低Rds(on)、低ESR、低总谐波失真和Miller门极电荷等特点，适用于高频DC/DC转换应用。
FAIRCHILD FDMS2734 说明书 FDMS2734 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET 是 Fairchild Semiconductor Corporation 推出的一款 MOSFET 器件，其最大特点是低 rDS(on)、低 ESR、低总和 Miller 门极电荷，因此非常适合高频 DC 到 DC 转换器应用。
FAIRCHILD FDMS3006SDC 说明书 FDMS3006SDC是一款N-Channel MOSFET，采用Fairchild Semiconductor的先进Power Trench®工艺生产。该器件具有低rDS(on)和高性能的特点，适用于同步整流器、通信设备的二次侧整流和高端服务器/工作站的Vcore低端等应用。
FAIRCHILD FDMS3008SDC 说明书 该数据表格详细介绍了FDMS3008SDC N-Channel Dual CoolTM PowerTrench® SyncFETTM的特性、规格、应用场景等信息。
FAIRCHILD FDMS3500 说明书 FDMS3500 N-Channel Power Trench® MOSFET 是一款高性能MOSFET，具有75V、49A、14.5m�的特性，适用于DC-DC转换应用。
FAIRCHILD FDMS3572 说明书 该文档介绍了FDMS3572 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET的特点和特性，包括最大电阻、Miller电荷、优化的高频效率等。
FAIRCHILD FDMS3600S 说明书 FDMS3600S 是 Fairchild Semiconductor Corporation 生产的一种双 N 通道 MOSFET 器件。它具有低开关损耗、优化的电路布局和低开关节振荡等特点。该器件可应用于计算、通信、通用点负载、笔记本电脑 VCORE 和服务器等领域。
FAIRCHILD FDMS3602S 说明书 FDMS3602S PowerTrench® Power Stage 25 V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET，是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款双N沟道MOSFET器件，具有低导通电阻、低封装寄生电感、低开关损耗等特点。
