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ON Semiconductor BUD42D 数据手册

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ON Semiconductor NUF6406MN 数据手册

这是一份关于NUF6406MN低电容6线EMI滤波器带ESD保护的文档。该器件适用于无线应用，能在800MHz到2.4GHz频段内达到大于-30dB的衰减。它还提供了ESD保护，能够抑制静电放电产生的瞬态。该器件具有EMI滤波和ESD保护的功能，集成了30个离散元件，符合IEC61000-4-2（4级）>8.0kV（接触）标准，尺寸为1.35 x 3.0 mm的DFN封装，具有1级湿敏度，ESD等级为机器模型C和人体模型3B。

ON Semiconductor NUP1105L 数据手册

NUP1105L是Onsemi推出的单线LIN/CAN总线保护器，该器件采用SOT-23封装，具有双向保护功能，可为系统设计人员提供一种低成本的解决方案，以提高系统可靠性和满足严格的EMI要求。

ON Semiconductor NZL5V6ATT1 数据手册

该文件介绍了一种双共阳稳压二极管，用于提供过电压保护能力。该产品适用于需要电压和ESD敏感设备的应用，如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备等。其双结共阳设计可以保护四条独立线路，只使用一个封装。该产品适用于板载空间有限的情况。

ON Semiconductor NUP4103FC 数据手册

NUP4103FC是Semiconductor Components Industries, LLC推出的一种四通道ESD阵列器件，它具有极小的外形尺寸和超高的抗ESD能力，适用于对抗ESD敏感的便携设备和其他应用场景。

ON Semiconductor LM358, LM258, LM2904, LM2904A, LM2904V, NCV2904 数据手册

这份文件介绍了LM358/D系列双运算放大器的特点特性，包括低功耗、单电源或双电源供电、输入电压范围扩展到地/VEE等

ON Semiconductor NCV4279C 数据手册

NCV4279C是一款5.0 V精密微功耗电压调节器，输出电流能力为150 mA。输出电压精度在±2.0%内，最大压降为0.6 V（150 mA）。低静态电流仅为130 μA，在100 μA负载下。该产品非常适合任何电池供电的微处理器设备。微处理器控制逻辑包括一个带延迟的主动复位电路和一个FLAG监视器，可用于向微处理器提供潜在复位信号的提前警告。使用FLAG监视器，微处理器可以在复位关闭微处理器之前完成任何信号处理。主动复位电路在输出电压低至1.0 V时可以正常工作。复位功能在上电序列或在输出电压超出规定限制时会被激活。可以通过连接到RADJ引脚的外部电阻分压器来降低复位阈值电压。该调节器受到反向电池、短路和过热等条件的保护。该器件可以承受负载峰值瞬变，适用于汽车环境。该器件还针对EMC条件进行了优化。

ON Semiconductor NCV7601 数据手册

NCV7601是ONSEMI推出的一款汽车级驱动器，适用于多种负载。该器件支持TTL/DTL/CMOS兼容输入，具有NAND逻辑和公共使能功能，最大工作电压为60V，典型应用包括车身和动力总成电子设备、白炽灯/LED负载、继电器/电感负载、加热器/电阻负载、步进电机/直流电机负载等。

GENERAL Semiconductor 2N7000 DMOS Transistors 数据手册

该文件介绍了DMOS晶体管2N7000的特点和特性，包括高输入阻抗、低门阈电压、低漏源电阻、高速开关等。

ON Semiconductor 2N7000 数据手册

该文件介绍了2N7000 N沟道MOSFET的最大额定值和电气特性。

GENERAL SEMICONDUCTOR 2N7002 DMOS Transistors (N-Channel) 数据手册

该数据表格主要介绍了2N7002这个产品的特点特性，包括最大额定值、电气特性、机械特性等。

ON Semiconductor CS5253B-1 数据手册

The CS5253B-1 is a 3.0 A LDO 5-Pin Adjustable Linear Regulator with Remote Sense Applications. It is a new very low dropout linear regulator that reduces total power dissipation in the application.

Cherry Semiconductor CS51021/CS51023/CS51022/CS51024 数据手册

该文件介绍了CS51021/22/23/24系列固定频率PWM电流模式控制器，该系列控制器具有低启动电流（75µA）、高频操作能力、过压和欠压监视、可编程双阈值过流保护、电流检测引导边缘消隐、电流斜率补偿、精确占空比控制和可外部提供的5V参考等特点。该系列控制器具有双向同步功能，CS51021和CS51023提供睡眠模式，最大IC电流消耗为100µA。该系列控制器采用16引脚窄体SO封装。

ON Semiconductor CS51021A, CS51022A, CS51023A, CS51024A 数据手册

该数据手册是关于CS51021A/2A/3A/4A固定频率PWM电流模式控制器的，它提供所有必要的功能，以满足AC-DC或DC-DC主侧控制的要求。该系列包含了多种功能，从而消除了需要外部实现的额外组件。除了低启动电流(75µA)和高频操作能力之外，CS51021A/2A/3A/4A系列还包括过电压和欠电压监控、外部可编程双阈值过电流保护、电流检测前沿消隐、电流斜率补偿、精确的占空比控制和可用外部5.0V参考电压。CS51021A和CS51023A具有双向同步能力，而CS51022A和CS51024A则具有100µA最大IC电流消耗的睡眠模式。CS51021A/2A/3A/4A系列采用16引脚窄体SO封装。

Cherry Semiconductor CS51031 数据手册

CS51031是一款开关控制器，用于DC-DC转换器。它可以与最少的外部元件一起使用。CS51031包括一个用于控制设备状态的VCC监视器、一个用于控制离散P通道晶体管门的1.0A功率驱动器、一个固定频率振荡器、短路保护定时器、可编程软启动、精密参考、快速输出电压监视比较器和带有锁存的输出级驱动器逻辑。高频振荡器允许使用小型电感器和输出电容器，从而最大限度地减少印刷电路板面积和系统成本。可编程软启动可减少启动时的电流冲击。短路保护定时器在短路条件下将占空比显着降低到其周期的1/30。CS51031有8L SO和8L PDIP塑料封装可供选择。

ON Semiconductor CS51031 数据手册

CS51031 是一款用于 DC–DC 转换器的开关控制器。它可以用最少的外部组件在降压拓扑中使用。CS51031 由用于控制器件状态的 VCC 监视器、用于控制离散 P 通道晶体管栅极的 1.0 A 功率驱动器、固定频率振荡器、短路保护定时器、可编程软启动、精确参考、快速输出电压监视比较器和带锁存器的输出级驱动逻辑组成。高频振荡器允许使用小型电感器和输出电容器，最大限度地减少电路板面积和系统成本。可编程软启动可减少启动时的电流冲击。短路保护定时器在短路条件下将占空比显著降低到其周期的约 1/30。CS51031 提供 8 引脚 SO 塑料封装。

HARRIS Semiconductor 2N7288D, 2N7288R, 2N7288H 数据手册

该文档介绍了Harris Corporation公司1992年生产的2N7288D、2N7288R和2N7288H型号的辐射硬化N沟道功率MOSFET。这些器件具有9A、250V的额定值，RDS(on)为0.415Ω，能够满足100KRAD(Si)的预辐照规格，并且性能允许有限使用到3000KRAD(Si)。

Cherry Semiconductor CS51033 数据手册

CS51033是一种用于DC-DC转换器的开关控制器，可用于降压拓扑结构，具有无需补偿的高速振荡器、无损失短路保护、2%精度参考和可编程软启动等特点。

ON Semiconductor CS51033 数据手册

CS51033是一款开关控制器，用于dc-dc转换器。它可以在最小数量的外部元件的情况下用于降压拓扑。CS51033由1.0 A功率驱动器组成，用于控制离散P通道晶体管的栅极，固定频率振荡器，短路保护定时器，可编程软启动，精密参考，快速输出电压监控比较器和带锁存的输出级驱动逻辑。高频振荡器允许使用小型电感器和输出电容器，最大限度地减小PCB面积和系统成本。可编程的软启动可减少启动时的电流冲击。短路保护定时器在短路条件下显着降低PFET占空比，使其正常周期约为1/30。CS51033提供8引脚SO封装。特点• 1.0 A Totem Pole输出驱动器• 高频振荡器（最大700 kHz）• 无需稳定补偿• 无损短路保护• 2.0%精密参考• 可编程软启动• 宽环境温度范围：♦工业级：-40°C至85°C♦商用级：0°C至70°C 95个单元/轨道http://onsemi.com

HARRIS Semiconductor 2N7330D, 2N7330R, 2N7330H 数据手册

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