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NTMFS4833N 是 Semiconductor Components Industries 生产的一款功率 MOSFET，额定电压为 30V，额定电流为 191A，封装类型为 SO-8 FL。

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该文档介绍了NTMS4107N功率MOSFET的特点和特性，包括超低的RDS(on)，低的门电阻和低的QG，适用于低侧同步应用和高速开关能力。适用于笔记本电脑Vcore应用、网络应用和DC-DC转换器。

这是一款高密度功率MOSFET，具有超低RDS(on)，能带来更高的效率。它有一个微型的SO-8表面贴装封装，节省了电路板空间，并且在高温下额定IDS。此外，二极管具有高速的软恢复性能。这款产品可用于电池供电产品、便携式产品、计算机、打印机、PCMCIA卡、手机和无线电话等应用中。

NTMS7N03R2是一款N通道功率MOSFET，额定电压30V，额定电流7A，封装为SO-8。具有超低RDS(on)、高效率、逻辑电平栅极驱动、小型化SO-8表面贴装封装等特点。典型应用包括DC-DC转换器、电源管理、电机控制、感性负载等。

NTP60N06L和NTB60N06L是功率MOSFET，适用于低电压、高速开关应用，如电源、转换器、电机控制和桥电路。

该文件介绍了一种中等电流的低压整流器，具有反向雪崩特性，可用作反向功率瞬变抑制剂。该产品适用于汽车系统中的瞬变抑制，并可在正向模式下作为标准整流器或在反向模式下作为功率雪崩整流器运行，以保护电子设备免受过压条件的影响。

NTF2955 是一款 P 通道 MOSFET，具有 −60 V、−2.6 A 的最大额定值。它采用 TMOS7 设计，具有低 RDS(on)，并且能够承受高能量的电弧和换向模式。该器件适用于电源、PWM 电机控制、转换器和电源管理应用。

NTGS3446是Semiconductor Components Industries, LLC公司生产的一款N沟道MOSFET，该器件具有超低RDS(on)、高效率延长电池寿命、逻辑电平栅极驱动、二极管具有高速软恢复、雪崩能量指定、IDSS在高温下指定等特点，应用于便携式和电池供电产品中的电源管理，例如电脑、打印机、PCMCIA卡、蜂窝和无线电话以及笔记本电脑等。

NTF3055-100是N型通道MOSFET，额定电压为60V，额定电流为3.0A，封装类型为SOT-223，适用于低压、高频开关应用，如电源、转换器和电机控制。

该文档介绍了一种N通道SOT-223功率MOSFET，设计用于低压、高速开关应用，适用于电源、转换器、电机控制和桥电路。文档提供了最大额定值、工作条件、热阻等参数。

MiniMOS是一种先进的功率MOSFET系列产品，采用Motorola的高密度HDTMOS工艺。这些微型表面贴装MOSFET具有超低的RDS(on)和真正的逻辑电平性能。

本文档介绍了NCP1052低成本高压100 mA非隔离型电源，该电源采用Buck和Buck-Boost拓扑。该器件由ON Semiconductor公司制造，是一款集成700 V/ 300 mA功率开关的最新低成本开关控制器。它主要用于隔离10 W范围的反激式转换器。如果不需要隔离，该IC也可以用作步降型Buck和Buck-Boost转换器，通过去除光电耦合器并用电感替换变压器来进一步降低成本。输出电流能力为100 mA。可能的操作范围是从输入范围20 Vdc到700 Vdc到输出范围5.0 V或以上，电流为100 mA。典型的效率约为65%，在12 V Buck演示板上获得。所提出电路的优点包括：与反激式相比，Buck和Buck-Boost消除了光电耦合器并用电感替换变压器以节省成本。与反激相比，Buck和Buck-Boost在开关中提供较小的电压应力。它可以最小化开关损耗并提高效率。NCP105x可以从宽范围的高输入电压20 Vdc到700 Vdc中汲取电力。它不需要额外的供电电路。NCP105x以44、100或136 kHz的频率工作，并且可以适应各种输入电压和电流。

This document is about mmsd914t1.

该文档介绍了Motorola的小信号晶体管、场效应管和二极管的特点和特性，其中包括开关二极管的封装形式、高击穿电压和快速开关时间等特点。

Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data是一份介绍Motorola的中功率表面贴装产品的文档。这些产品采用Motorola的高电池密度HDTMOS工艺，并包含单片式反向锐利二极管。这些二极管提供了对静电放电和突发电压的保护。这些微型表面贴装MOSFET具有低RDS(on)和真正的逻辑电平性能。它们能够承受雪崩和换流模式中的高能量，且漏极-源极二极管具有非常低的反向恢复时间。EZFET器件设计用于低电压、高速开关应用，具有较高的功率效率。

该数据表提供了关于摩托罗拉EZFETs(高密度TMOS功率MOSFET)的详细信息，包括最大额定值、电压、电流等。

Motorola TMOS功率MOSFET晶体管设备数据介绍了一系列中功率表面贴装产品。这些产品采用Motorola的TMOS高细胞密度工艺，并包含单片式反向极化二极管，可提供防电静电放电和意外瞬态保护。这些微型表面贴装MOSFET具有超低导通电阻和真正的逻辑电平性能。它们能够在雪崩和换相模式下承受高能量，且漏极-源极二极管具有非常低的反向恢复时间。EZFET器件专为低电压、高速开关应用而设计，重视功率效率。典型应用包括直流-直流转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、蜂窝电话和无绳电话。它们还可用于低电压电机控制，如磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品。

MMSZ4681-MMSZ4717 SOD-123 硅平面二极管

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