FUTEK L1618 说明书 The document is about a drawing of a product. It contains dimensions and tolerances of the product.
DYTRAN 3088C CHARGE MODE ACCELEROMETER 规格手册 该文件是DYTRAN INSTRUMENTS INC的专有和机密信息，未经DYTRAN INSTRUMENTS INC书面许可，禁止全文或部分复制。文件中包含了关于产品的三视图和规格信息。
FAIRCHILD FDN358P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 说明书 该文档介绍了1998年3月发布的FDN358P P-Channel逻辑电平增强型场效应晶体管的特点和特性，包括其最大耐压、最大功耗、工作温度范围等。
FAIRCHILD FDN358P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 说明书 该文档介绍了March 1998 FDN358P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor的特点和特性，包括最大额定值、工作温度范围、热阻等信息。
FAIRCHILD FDN5618P 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 说明书(1)(1) FND5618P是Fairchild生产的60V P通道MOSFET，该器件具有极低的RDS(ON)，快速的开关速度，适用于DC-DC转换器、负载开关和电源管理等应用。
FAIRCHILD FDN5618P 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 说明书(1) 该文件介绍了一种60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET产品，具有高压PowerTrench工艺，适用于功率管理应用。其特点包括：-1.25 A, –60 V的漏源电阻，快速开关速度，极低漏源电阻。
FAIRCHILD FDN5632N_F085 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 60V, 1.6A, 98mΩ 说明书 该文档是关于FDN5632N_F085 N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET的使用手册，介绍了该产品的特点特性，包括RDS(on) = 98mΩ at VGS = 4.5V, ID = 1.6A、RDS(on) = 82mΩ at VGS = 10V, ID = 1.7A、Typ Qg(TOT) = 9.2nC at VGS = 10V、Low Miller Charge、Qualified to AEC Q101等
FAIRCHILD FDP032N08 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 235A, 3.2mΩ 说明书 FDDP032N08是一款N通道MOSFET，具有超低RDS(on)、高开关速度、低栅极电荷等特点。该器件可用于DC/DC转换器和同步整流等应用。
