FAIRCHILD FQPF5N80 800V N-Channel MOSFET 数据手册 FQPF5N80是Fairchild生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关速度、抗高能脉冲的能力，适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQPF5N80 说明书 FQPF5N80 800V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor International生产的一种功率场效应晶体管，采用了Fairchild的专有平面条纹DMOS技术，具有低开关阻抗、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于高效率开关电源。
PRESSURE TRANSDUCER P-8305 USER MANUAL(1)(1) P-8305-101G压力传感器是一种低压传感器，其特点是双膜结构，内置温度补偿(0~50度C)，工作温度范围广，可用于各种腐蚀性气体和液体。
FAIRCHILD FQPF6N80 800V N-Channel MOSFET 数据手册 FQPF6N80 是 Fairchild Semiconductor 生产的 800V N 通道 MOSFET，具有 3.3A 的持续电流和 800V 的最大电压。其特点是低导通电阻，低栅极电荷和低 Coss。该器件经过 100% 的雪崩测试，适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQP6N80C/FQPF6N80C 说明书 FQP6N80C/FQPF6N80C 800V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的具有低导通电阻、高开关性能、抗高能脉冲的功率场效应晶体管。
FAIRCHILD FQPF70N08 说明书(1)(1) FQPF70N08是一款由Fairchild制造的N通道增强型功率场效应晶体管，使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于汽车等低压应用。
FAIRCHILD FQPF70N08 说明书(1) 这份文件介绍了FQPF70N08型号的80V N-Channel MOSFET产品的特点和特性。该产品采用了Fairchild独有的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲的耐受能力。适用于低压应用，如汽车、高效率DC/DC转换器和直流电机控制。
FAIRCHILD FQP8N60C/FQPF8N60C 600V N-Channel MOSFET 说明书 FQP8N60C/FQPF8N60C是飞兆半导体公司生产的一种N沟道增强型功率场效应晶体管，采用飞兆半导体公司专有的平面条纹DMOS工艺。该工艺专为最小化开关导通电阻、提供卓越的开关性能以及承受雪崩和换流模式下高能脉冲而量身定制。该器件非常适用于高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯光镇流器等应用。
FAIRCHILD FQPF8N60CF 600V N-Channel MOSFET 说明书 FQPF8N60CF 600V N-Channel MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor Corporation生产的低导通电阻、低栅极电容、快速开关、100% 雪崩测试的产品，适用于高效开关电源、有源功率因数校正、半桥拓扑电子灯泡镇流器等场景。
FAIRCHILD FQPF8N60CF 数据手册 FQPF8N60CF 600V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N沟道增强型功率场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关速度、高可靠性等特点。该产品适用于高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。
FAIRCHILD FQP8N80C/FQPF8N80C 800V N-Channel MOSFET 说明书(1) 这份文件介绍了 FQP8N80C/FQPF8N80C 这款800V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括低导通电阻、快速开关速度、高能脉冲承受能力等。
FAIRCHILD FQP8N90C/FQPF8N90C 900V N-Channel MOSFET 说明书 FQP8N90C/FQPF8N90C N-Channel MOSFET是Fairchild生产的，使用DMOS技术，特点是低导通电阻，快速开关，100% avalanche测试，改进了dv/dt能力。
FAIRCHILD FQPF8P10 数据手册 FQPF8P10是一款100V P通道MOSFET，具有低门极电荷（典型值为12nC）、低Crss（典型值为30pF）、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温额定值。
