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更新: 29 September, 2023
该文件介绍了一种60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET产品，具有高压PowerTrench工艺，适用于功率管理应用。其特点包括：-1.25 A, –60 V的漏源电阻，快速开关速度，极低漏源电阻。
文件格式: PDF
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MD5: 6DA47C1BC0013C6D02DC0553C54CA036
发布时间: 12 April, 2012
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连接: FAIRCHILD FDN5618P 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 说明书(1) PDF