FAIRCHILD FDS8858CZ 说明书 FDS8858CZ是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种双N和P通道增强型功率MOSFET，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于低压和电池供电的应用场合，如逆变器和同步降压MOSFET。
FAIRCHILD FDS8984 数据手册 FDS8984是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道MOSFET，它具有低栅极电荷、低导通电阻和快速开关速度。
FAIRCHILD FDS9958 Dual P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 这份文件介绍了FDS9958双P通道PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大的导通电阻、最小的栅源电荷以及适用于便携式电子设备应用的特点。
FAIRCHILD FDT458P 30V P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDT458P是一款30V P通道PowerTrench MOSFET，适用于DC/DC转换器、电池充电器和电机驱动等应用。它具有快速开关和低栅极电荷的特点。
FAIRCHILD FDT86102LZ N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDT86102LZ是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道功率MOSFET，其最大rDS(on)为28 mΩ，最大HBM ESD保护电压为6 kV，具有非常低的Qg和Qgd，开关速度快，并通过了100% UIL测试，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDT86106LZ N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDT86106LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor Corporation生产的N沟道逻辑级MOSFET，采用了该公司的先进Power Trench®工艺，可将导通电阻降至最低，同时仍能保持卓越的开关性能。该器件具有3.2 A的连续电流和100 V的漏源电压，非常适用于DC-DC转换等应用。
FAIRCHILD FDT86113LZ N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 该文档介绍了FDT86113LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大的导通电阻、高性能的槽道技术、高功率和电流处理能力，以及ESD保护等级等。
FAIRCHILD FDT86244 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册 FDT86244 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的一款高性能MOSFET，具有极低的rDS(on)，高功率和电流处理能力，可广泛应用于负载开关和主开关等领域。
FAIRCHILD FDT86246 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册 FDT86246 N-Channel Power Trench® MOSFET是一种高性能、低阻抗、高功率和高电流处理能力的N沟道MOSFET。它采用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench®工艺，该工艺经过优化，可实现极低的rDS(on)、快速的开关速度和坚固性。
FAIRCHILD FDT86256 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDT86256 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款高性能的MOSFET产品，它具有低rDS(on)、快开关速度、RoHS兼容等特点。适用于DC-DC转换、逆变器、同步整流器等应用场合。
ON Semiconductor LM358, LM258, LM2904, LM2904A, LM2904V, NCV2904 数据手册 这份文件介绍了LM358/D系列双运算放大器的特点特性，包括低功耗、单电源或双电源供电、输入电压范围扩展到地/VEE等
ON MC33269, NCV33269 800 mA, Adjustable Output, Low Dropout Voltage Regulator 数据手册 mc33269是精密的低压差电压调节器,该系列电压调节器采用1.0v的dropout，组合pnp-npn管，并提供过流保护和热关断功能。
