FAIRCHILD FDS6298 30V N-Channel Fast Switching PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS6298是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款30V N通道快速开关PowerTrench MOSFET器件。它专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。该器件经过优化，具有低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度。
FAIRCHILD FDS5680 Single N-Channel PowerTrench® MOSFET 说明书 本文档介绍了FDS5680器件的数据手册，包括器件的封装尺寸、引脚排列、最大工作电压、最大工作电流、最大功耗、工作温度范围等信息。
FAIRCHILD FDS4897C 说明书 这份文档介绍了Fairchild Semiconductor公司生产的双N和P通道增强型功率场效应晶体管的特点和特性。这些晶体管采用了PowerTrench工艺，既能降低导通电阻，又能保持优良的开关性能。适用于逆变器和电源等应用。
FAIRCHILD FDS4685 40V P-Channel PowerTrench® MOSFET 说明书 该文档介绍了Fairchild Semiconductor公司的FDS4685 40V P-Channel PowerTrench® MOSFET产品的特点和特性，包括高性能的沟道技术、快速开关速度、高功率和电流处理能力等。该产品适用于电源管理、负载开关和电池保护等应用。
FAIRCHILD FDS4488 30V N-Channel PowerTrench® MOSFET 说明书 这是一份关于FDS4488型号的30V N-Channel PowerTrench MOSFET的文档。该产品使用Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench工艺制造，旨在最小化导通电阻并保持卓越的开关性能。适用于低电压和电池供电的应用，需要低线损耗和快速开关。
FAIRCHILD FDS4480 40V N-Channel PowerTrench® MOSFET 说明书 FDS4480是一款40V N沟道MOSFET，其RDS(ON)仅为12 mΩ，gate charge为29 nC，适用于DC/DC转换器等应用场合。
FAIRCHILD FDS3890 说明书 该文件介绍了FDS3890型号的80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET产品的特点和特性，适用于直流/直流转换器，具有更快的开关速度和更低的栅极电荷，提高了功率转换效率。
FAIRCHILD FDS3590 80V N-Channel PowerTrench® MOSFET 说明书 FDS3590 80V N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款高性能晶体管，具有更快的开关速度和更低的栅极电荷，能够改善 DC/DC 转换器的整体效率。
FAIRCHILD FDS3580 80V N-Channel PowerTrench® MOSFET 说明书 FDS3580是Fairchild Semiconductor International生产的一款80V N通道功率MOSFET，该器件具有更快的开关速度和更低的栅极电荷，适用于同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器，是设计高效率DC/DC电源的理想器件。
FAIRCHILD FDS2582 说明书 FDS2582是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N型通道MOSFET，其特点是rDS(ON) = 57mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 4.1A, Qg(tot) = 19nC (Typ.), VGS = 10V，适用于DC/DC转换器和离线UPS、分布式电源体系结构和VRMs、24V和48V系统的主开关、高压同步整流器、直喷/柴油喷射系统、42V汽车负载控制和电子气门控制系统等场合。
FAIRCHILD FDS8840NZ N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS8840NZ是一种N沟道功率沟道MOSFET，具有最大rDS(on)为4.5 mΩ，最大rDS(on)为6.0 mΩ，HBM ESD保护等特点。
FAIRCHILD FDS8817NZ N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS8817NZ N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款由 Fairchild Semiconductor 生产的 N 通道 MOSFET，其最大 rDS(on) 为 7mΩ，VGS = 10V，ID = 15A。该器件具有极低的 rDS(on)、高功率和电流处理能力，并符合 RoHS 标准。
FAIRCHILD FDS8813NZ N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS8813NZ是一款N沟道PowerTrench® MOSFET，具有30V的漏极到源极电压，18.5A的漏极电流和4.5mΩ的最大导通电阻。该器件采用了先进的PowerTrench®工艺，适用于笔记本电脑和便携式电池组等功率管理和负载开关应用。
FAIRCHILD FDS8690 N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS8690 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款N-Channel MOSFET，额定电压为30V，额定电流为14A，最大导通电阻为7.6mΩ。该MOSFET采用了高性能的沟槽技术，具有极低的导通电阻和快速的开关速度。它还具有极低的栅极电荷，高功率和电流处理能力，并且经过100%的RG测试，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDS86540 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDS86540 N-Channel PowerTrench® MOSFET是FAIRCHILD的一种MOSFET，具有高性能沟槽技术，极低的rDS(on)，高功率和电流处理能力，广泛用于表面贴装封装。
FAIRCHILD FDS8638 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDS8638 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款高性能的N通道MOSFET，具有极低的导通电阻，最大漏源电压为40V，最大漏源电流为18A，最大开关损耗为2.5W。该器件采用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench®工艺制造，具有高可靠性和低功耗特性，适用于同步整流器和负载开关等应用。
FAIRCHILD FDS86252 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册 FDS86252是一款N沟道功率沟槽MOSFET，具有最大55mΩ的漏源电阻和最大4.5A的漏极电流。采用高性能沟槽技术，具有极低的漏源电阻和高功率、大电流处理能力。广泛应用于直流-直流转换MOSFET。
