FAIRCHILD FDP5800 说明书 该文档介绍了FDP5800 N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括其RDS(on)、高性能沟道技术、低门电荷、高功率和电流处理能力等。适用于电机/负载控制、动力传动管理、喷射系统、直流-交流转换器和UPS等应用。
FAIRCHILD FDP18N20F/FDPF18N20F 数据手册 该文件介绍了UniFET TM FDP18N20F / FDPF18N20FT N-Channel MOSFET的特性和特点，包括其低电阻、低门电荷、快速开关速度和RoHS兼容性。该产品适用于高效开关模式电源和有源功率因数修正。
FAIRCHILD FDP085N10A 数据手册 FDP085N10A_F102是一款高性能N通道MOSFET,其RDS(on)为7.35mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 96A,具有快速的开关速度和低的栅极电荷,支持DC到DC转换器和电信电源的同步整流应用。
FAIRCHILD FDP083N15A 数据手册 FDP083N15A_F102 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款高性能、低功耗的 N 沟道 MOSFET，由 Fairchild Semiconductor 生产。这款 MOSFET 具有 8.3mΩ 的低 RDS(on)、6.85mΩ ( 典型值 )@ VGS = 10V、ID = 75A 的快速开关速度和低栅极电荷。它适用于 DC 到 DC 转换器、服务器/电信 PSU 的同步整流、电池充电器、交流电机驱动和不间断电源供应 ( UPS )。
FAIRCHILD FDP032N08 数据手册 该文档介绍了FDP032N08 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括75V的漏极到源极电压、235A的漏极电流、3.2mΩ的导通电阻等。
FAIRCHILD FDP027N08B_F102 数据手册 FDP027N08B_F102是Fairchild生产的一款N沟道MOSFET，其最大电压为80V，最大电流为223A，典型开关导通电阻为2.21mΩ。
FAIRCHILD FDN86246 N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档介绍了FDN86246 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大rDS(on)值、高性能槽沟技术、高功率和电流处理能力等。
FAIRCHILD FDN5618P 60V P-Channel PowerTrench Specified MOSFET 数据手册 FDN5618P是Fairchild生产的一种P通道MOSFET，额定电压为60V，漏极电流为-1.25A，开关速度快，RDS(ON)低，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关等应用
FAIRCHILD FDP8N60ZU / FDPF8N60ZUT N-Channel MOSFET, FRFET 数据手册 FDP8N60ZU / FDPF8N60ZUT N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N通道增强型功率场效应晶体管。该产品具有以下特点：RDS(on)=1.15mΩ（典型值）@VGS=10V，ID=3.25A；低栅极电荷（典型值20nC）；低Crss（典型值10pF）；快速开关；100%雪崩测试；改进的dv/dt能力；RoHS兼容。
