TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−MOSII) TPC8204 数据手册 TPC8204是一种TOSHIBA场效应晶体管，适用于锂离子电池应用和便携设备应用，如笔记本电脑。它具有小巧薄型的封装，低漏源电阻，高正向传输导纳，低泄漏电流等特点。
东芝 TPCS8205 说明书 该文档介绍了TPCS8205型号的场效应晶体管产品的特点和特性，适用于锂离子电池应用和便携设备应用，具有小巧薄型的封装、低漏源极电阻、高正向传输导纳、低漏电流和增强模式等特点。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) TPC8206 数据手册 该文件介绍了TPC8206型号的TOSHIBA场效应晶体管，适用于锂离子电池应用、笔记本电脑应用和便携设备应用。其特点包括小巧的封装、低漏源ON电阻、高前向传导导纳、低泄漏电流和增强模式等。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) TPC8208 数据手册 TPC8208是一款TOSHIBA生产的场效应晶体管，适用于锂离子电池应用、笔记本电脑应用和便携设备应用。其特点包括小巧的封装、低漏源ON电阻、高正向传递导纳、低漏电流和增强模式等。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−MOS II) TPC8209 数据手册 TPC8209是东芝公司生产的一款N沟道MOS型场效应晶体管，具有小型化、低漏电流、高导通电阻等特点，适用于锂电池、便携式设备、笔记本电脑等应用场景。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L 2 −π−MOSVI) TPC8301 数据手册 TPC8301是Toshiba生产的一款P沟道MOS管，主要应用于锂离子电池、便携式设备、笔记本电脑等。该产品具有小尺寸、低RDS(ON)、高Yfs、低IDS等特点。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L 2 −π−MOSVI) TPC8302 数据手册 TPC8302是东芝生产的一种P通道MOS型场效应晶体管，主要应用于锂离子电池、便携式设备和笔记本电脑等。特点是电压驱动为2.5V，占用面积小，导通电阻低，漏电流小，开关速度快。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U−MOSII) TPC8303 数据手册 TPC8303是东芝生产的一款P通道MOSFET，具有低导通电阻、高输出阻抗和低漏电流等特点
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (π−MOSVI/U−MOSII) TPC8402 数据手册 TPC8402是东芝公司生产的一款N，P通道MOS类型的场效应晶体管，应用于锂离子二次电池、笔记本电脑和便携式设备等。其特点是低导通电阻、高传递增益和低漏电流。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type (P Channel U-MOSII/N Channel U-MOSII) TPC8403 数据手册 该文件介绍了TPC8403型号的TOSHIBA场效应晶体管的特点和特性，包括低电阻、高转导电导、低漏电流和增强模式等特点。适用于电动机驱动应用、笔记本电脑应用和便携设备应用。
CATALYST CAT5110, CAT5118, CAT5119 数据手册 CAT5110/5118/5119是32级迷你电子可编程电位计，具有超低供电电流和单电源操作功能。适用于LCD屏幕调节、音量控制和机械电位替代等应用。
