TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) TPCF8102 数据手册 该文档提供了TPCF8102的参数信息，包括额定电压、最大电流等
TEXAS INSTRUMENTS CD54HC283, CD74HC283, CD54HCT283, CD74HCT283 High-Speed CMOS Logic 4-Bit Binary Full Adder with Fast Carry 数据手册 是哈里斯半导体 SCHS176D 公司发布的一款二进制全加器，该器件可以使用正负逻辑，并且支持10个标准输出和15个总线驱动输出，工作温度范围为-55°C 至 125°C。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P, N Channel MOS Type (U-MOS IV / U-MOS III) TPCP8402 数据手册 TPCP8402是东芝公司生产的一款MOSFET器件，具有低漏电流、低开关电阻和高输入阻抗等特点。
TOSHIBA Multi-Chip Transistor Silicon NPN Epitaxial Type, Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type TPCP8H01 数据手册 该文件介绍了TPCP8H01型号的产品特点特性，包括多芯片离散器件、内置NPN晶体管和N沟道MOS场效应晶体管等。该产品具有高直流电流增益、低集电极-发射极饱和电压和高速开关等特点。
TOSHIBA Multi-Chip Transistor Silicon NPN Epitaxial Type, Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type TPCP8H02 数据手册 1
TOSHIBA Multi-chip Device Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIV) ／Silicon NPN Epitaxial Type TPCP8J01 数据手册 1
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS II) TPCS8101 数据手册 TPCS8101是TOSHIBA推出的一款低功耗场效应晶体管，适用于笔记本电脑等便携设备应用。该管具有小封装、低漏电流、高导通电阻等特点。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS II) TPCS8102 数据手册 TPCS8102是东芝生产的一款场效应晶体管，其特点是小型化和低功耗。它适用于锂离子电池、便携式设备和笔记本电脑等应用。
FAIRCHILD CGS3311 • CGS3312 • CGS3313 • CGS3314 • CGS3315 • CGS3316 • CGS3317 • CGS3318 • CGS3319 CMOS Crystal Clock Generators 1
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS IV) TPCS8104 数据手册 该文档介绍了TPCS8104型号的场效应晶体管的特点和应用领域，包括笔记本电脑和便携设备应用。该晶体管具有小尺寸、低电阻、高传递导纳和低漏电流等特点。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS II) TPCS8201 数据手册 TPCS8201是东芝生产的一款N沟道MOS管,具有小型化、低阻抗、高增益等特点,可用于锂电池、便携设备等应用场景
东芝 TPCS8204 数据手册 该文档介绍了TPCS8204型号的TOSHIBA场效应晶体管，该晶体管适用于锂离子电池应用、笔记本电脑应用和便携设备应用。它具有小尺寸和薄封装、低漏源电阻、高正向传输导纳、低泄漏电流和增强型等特点。
东芝 TPCS8205 数据手册 该文档介绍了TPCS8205型号的TOSHIBA场效应晶体管，适用于锂离子电池和便携设备应用。该型号具有小巧和薄型的封装，低漏源电阻，高前向传输电导，低泄漏电流和增强模式特性。
东芝 TPCS8208 数据手册 该文件介绍了TPCS8208型号的场效应晶体管在锂离子电池应用中的特点。它具有小巧的尺寸和薄型封装，低的漏源ON电阻，高的前向传输导纳，低的漏电流以及增强型的特性。此外，该文件还列出了TPCS8208的最大额定值。
