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intersil MS82C55A, MQ82C55A 数据手册

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该文档介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR CMSD4448型超高速硅开关二极管的特点和特性，适用于高速开关应用。

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FS5KM-18A是三菱生产的一款高压N沟道功率MOSFET，最大电压可达900V，最大电流可达5A，典型开关时间为10ns。

该文件介绍了MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS5SM-18A的特点和特性，适用于高速开关用途，如SMPS、DC-DC转换器、电池充电器、打印机、复印机、硬盘驱动器、软盘驱动器、电视、录像机、个人电脑等。

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FS5VS-18A是三菱电机生产的一款高压功率MOSFET，其最大电压为900V，最大电流为5A，额定电流为1.5A。该器件采用TO-220封装，适用于SMPS、DC-DC转换器、电池充电器、打印机、复印机、HDD、FDD、TV、VCR、个人电脑等应用。

该文档介绍了MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS5UM-18A高速开关的特点和特性。该产品适用于SMPS、DC-DC转换器、电池充电器、打印机、复印机、硬盘驱动器、软盘驱动器、电视、录像机、个人电脑等电源供应。

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该文件介绍了IXYS Corporation生产的MegaMOSTMFET N-Channel Enhancement Mode产品的特点和特性，包括国际标准封装、低RDS（on）、HDMOSTM工艺、坚固的多晶硅栅极结构和低封装电感。

IXTA是IXYS公司生产的一款高压MOSFET，具有低RDS(on)、高可靠性、低封装电感等特点，适用于开关电源、逆变器等应用场合。

该文件介绍了IXYS公司2005年生产的一款N-Channel Enhancement Mode功率MOSFET产品的特点和特性，包括国际标准封装、无钳位感应开关、低封装电感等。该产品易于安装，节省空间，具有高功率密度。

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这份文件介绍了IXYS公司的高电流功率MOSFET产品。产品特点包括国际标准封装、3000V的隔离电压、低RDS（on）值、坚固的多晶硅栅结构、低漏极-壳体电容和低封装电感等。该产品适用于各种应用领域。

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ixth/ixtm 6 n80/6 n80a 是 ixys 生产的一款功率 mosfet，具有低 rds(on)、hdmostm 工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、低封装电感（<5 nH）等特点