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M5M4V64S20ATP-8, -10, -12是三菱电气公司的64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM，具有LVTTL接口。所有输入和输出都参考CLK上升沿。M5M4V64S20ATP可实现高达125MHz的非常高速数据速率，适用于计算机系统的主存储器或图形存储器。

BS616LV2013是一款高性能，超低功耗CMOS静态随机存储器，可在2.4V至3.6V宽电压范围内工作。高级CMOS技术和电路技术提供了高速度和低功耗功能，典型的CMOS待机电流为0.1uA，最大访问时间为3V操作中的70/100ns。通过活动低片选(CE)、活动低输出使能(OE)和三态输出驱动器提供简易存储器扩展。BS616LV2013具有自动待机功能，当芯片未选中时，可显着降低功耗。BS616LV2013提供DICE形式、JEDEC标准44针TSOP Type II封装、JEDEC标准48针TSOP Type I封装和48球BGA封装。

这是一款SVH-1920控制器的产品手册。

本手册介绍了 Vortex86DX 800MHz PC/104 CPU 模块的特点和特性，包括包装清单、产品描述、规格、安装说明等。

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本文介绍了M93S66、M93S56和M93S46型号的MICROWIRE串行存储器，具有块保护功能。它们采用了工业标准的MICROWIRE总线，并且具有单一组织结构和编程指令，可对单词或整个存储器进行编程。此外，它们还支持用户定义的写保护区域、页写模式、自动擦除的自定时编程周期等特性。

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MC14067B/D是美国半导体公司生产的一款16通道多路复用开关，它具有低开关电阻和低漏电流的特点，适用于数字和模拟应用场合。

MAX1358/MAX1359/MAX1360 智能数据采集系统(DAS)是基于 16 位、 sigma-delta 模数转换器 (ADC) 和微处理器 (µP) 系统支持功能的。这些器件在单个芯片中集成了 ADC、DAC、运算放大器、内部 1.25V/2.048V/2.5V 可选参考、温度传感器、模拟开关、32kHz 振荡器、带报警的实时时钟 (RTC)、高频锁定环路 (FLL) 时钟、四个可编程 I/O、中断发生器以及 1.8V 和 2.7V 电压监视器。

该数据表提供了关于1N3016B至1N3051B齐纳二极管产品的详细信息，包括齐纳电压范围、封装类型、应用场景等。

本文件介绍了NAND128-A, NAND256-A NAND512-A, NAND01G-A 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories的特点特性。

ISL6269A是一款高性能的笔记本PWM控制器，采用Intersil的Robust Ripple Regulator (R3) 技术，可实现对输入电压和输出负载瞬变的真正卓越动态响应

MAX8620Y 微功率管理集成电路 (µPMIC) 为便携式设备中的低压微处理器或 DSP 供电。µPMIC 包括高效率的降压 DC-DC 转换器、两个低压降线性稳压器 (LDO)、微处理器复位输出和电源开/关控制逻辑。该器件以低 115µA 的电源电流在轻载下保持高效率，其微型 TDFN 封装使其非常适合便携式设备。MAX8620Y 的降压 DC-DC 转换器利用专有的 4MHz 滞后 PWM 控制方案，可实现超小的外部组件。内部同步整流可提高效率并消除传统降压转换器所需的外部肖特基二极管。输出电压从 0.6V 到 3.3V 可调，保证输出电流高达 500mA。MAX8620Y 的两个 LDO 提供低 45µVRMS 输出噪声和仅 200mV 的低压降，电流为 200mA。每个 LDO 提供至少 300mA 的连续输出电流。输出电压可从 1.8V 到 3.3V 进行引脚选择，以实现灵活性。微处理器复位输出 (RESET) 监视 OUT1 并警告系统即将发生电源损失，从而允许安全关机。RESET 在电源启动、电源关闭、关机和故障条件下断开，其中 VOUT1 低于其调节电压。应用范围包括蜂窝电话、智能手机/PDA 电话、PDA、无线局域网以及包括 MSM™、XScale™、ARM™ 和 OMAP™ 在内的微处理器和 DSP 解决方案。

DS26C31T/DS26C31M CMOS Quad TRI-STATE® Differential Line Driver，是一种用于数字数据传输的四路差分线驱动器，符合EIA标准RS-422，同时保持了CMOS的低功耗特性。

该文件是SANYO 2SA1785 / 2SC4645产品的手册，介绍了产品的特点和特性。

ISL6257是一款高度集成的锂离子/锂离子聚合物电池充电器控制器，专为笔记本电脑设计。它采用同步降压拓扑结构，可在低系统电压下实现高效率。低侧MOSFET在轻负载下模拟二极管，以提高轻负载效率并防止系统总线提升。恒定输出电压可在2、3和4系列锂离子电池中选择，温度范围±0.5%。它也可以编程在4.2V + 5% per cell和4.2V - 5% per cell之间，以优化电池容量。同时为负载和电池充电器供电时，交流适配器的输入电流限制可编程到±3%的精度，以避免过载交流适配器并允许系统更有效地运行。

SF4001/2/3/4/5/6/7是Vishay Semiconductors生产的一种高性能玻璃封装的超快速雪崩二极管。该产品具有低反向电流、高反向电压、无铅化等特点，适用于开关电源和高频逆变器等电路。

SFH628A / SFH6286是Vishay Semiconductors生产的一款光耦合器，具有高共模干扰免疫性、低耦合电容、高隔离电压等特点

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LTC1960是高集成度的双智能电池充电器和选择器，可用于使用双智能电池的便携式产品。串行SPI接口允许外部微控制器控制和监视两个电池的状态。专有的PowerPath架构支持同时充电或放电两个电池。典型的电池运行时间延长10％，而充电时间可缩短50％。LTC1960自动在10µs内在电源之间切换，以防止在拆卸电池或墙壁适配器时电源中断。同步降压电池充电器仅以0.5V掉电电压提供95％的效率，并防止在所有工作模式下产生可听见的噪音。具有5％精度的专利输入电流限制功能可以在最短时间内为电池充电，而不会使墙壁适配器过载。LTC1960的5mm×7mm 38引脚QFN和36引脚窄SSOPC封装允许实现完全符合SBS的双电池系统，同时占用最小的PCB面积。