FAIRCHILD FES16AT - FES16JT 说明书 FES16AT - FES16JT是Fairchild Semiconductor Corporation生产的快速整流器,具有低压降、高浪涌电流能力、高电流能力和高可靠性等特点。
ON Semiconductor MR850, MR851, MR852, MR854, MR856 Axial Lead Fast Recovery Rectifiers 数据手册 MR850、MR851、MR852、MR854、MR856是一种轴向引线的快速恢复整流器,适用于特殊应用,如直流电源、逆变器、变换器、超声系统、斩波器、低射频干扰和自由轮二极管。具有100纳秒的典型恢复时间,可在250 kHz的频率下提供高效率。该产品具有无铅特性。
TSC GBU601 THRU GBU607 Single Phase 6.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers 本文档介绍了GBU601至GBU607型单相6.0安培玻璃钝化桥式整流器的特点和特性,包括电压范围、电流、可靠性、低成本构造、耐高温焊接等。
FAIRCHILD MMSZ4684 数据手册 MMSZ4684是一种半瓦特,通用,中等电流的表面贴装稳压器,它采用SOD-123封装,该封装与玻璃mini-melf(LL-34)封装具有相同的占位面积,并提供了一种便捷的无引脚封装替代品。
Vishay General Semiconductor 1N5624GP thru 1N5627GP 说明书 该文档介绍了Vishay General Semiconductor公司生产的1N5624GP至1N5627GP型号的玻璃钝化结整流器的特点和特性,包括超级整流器结构、无腔玻璃钝化结、低正向压降、低漏电流、高正向浪涌能力等。该产品适用于电源、逆变器、转换器和自由轮二极管等领域的一般整流应用。
VISHAY BYV28-600 说明书 BYV28-600是一款超快雪崩玻璃封装二极管,具有以下特点:玻璃钝化,密封性好的轴向引线玻璃外壳,低反向电流,超快软恢复开关,无铅组件,符合RoHS 2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC。
DIODES BAS40/ -04/ -05/ -06 数据手册 BAS40/ -04/ -05/ -06是一种表面贴装肖特基势垒二极管,具有低正向压降、快速开关、PN结守卫环用于瞬态和ESD保护等特点。
ST STPS10L60CF/CFP POWER SCHOTTKY RECTIFIER 数据手册 STPS10L60CF/CFP 是双中心抽头肖特基二极管,适用于开关模式电源和高频DC到DC转换器。该器件采用ISOWATT220AB、TO-220FPAB封装,适用于高频逆变器。
SMBJ Series 600W Surface Mount Transient Voltage Supressors 说明书 该产品是Littlefuse公司的SMBJ系列600W表面贴装瞬态电压抑制器,具备RoHS兼容、电压范围从5到440伏特、低电感等特性。
VISHAY BYT56 说明书 BYT56 是Vishay Semiconductors生产的一种快速雪崩玻璃二极管。该二极管具有玻璃钝化结、密封外壳、低反向电流、软恢复特性、无铅组件、符合RoHS 2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC标准。该二极管可用于高速整流和开关二极管。
IXYS DSSK 60-0045A 数据手册 这是一个DSSK 60-0045A数据表,它是XYS公司的一款肖特基二极管,具有非常低的VF、极低的开关损耗、低的IRM值、环氧树脂符合UL 94V-0标准。
Littelfuse Silicon Avalanche Diodes 290 w w w. l i t t e l f u s e . c o m 600 Watt Axial Leaded Transient Voltage Suppressors 该产品是600瓦的瞬态电压抑制器,具有6.8至550伏特的范围,可以保护敏感电子设备免受雷击等瞬态电压事件的影响。
Agilent HSMS-286x Series 数据手册 Agilent HSMS-286x系列DC偏置探测二极管专为915MHz至5.8GHz的应用而设计和优化。它们是RF/ID和RF标签应用以及大信号探测、调制、RF到DC转换或电压加倍的理想选择。该系列探测二极管采用多种封装配置,可为各种设计问题提供低成本解决方案。Agilent的制造技术确保当两个或多个二极管安装到单个表面贴装封装中时,它们是从晶圆上的相邻位置采集的,从而确保最高的匹配度。
FAIRCHILD FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 / FDH3632 N-Channel PowerTrench MOSFET数据手册 FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 / FDH3632 是 Fairchild Semiconductor 生产的一款 100V、80A、9mΩ 的 N 通道 PowerTrench® MOSFET。其特点包括 rDS(ON) = 7.5mΩ (Typ.)、Qg(tot) = 84nC (Typ.)、低 Miller Charge、低 QRR 体二极管、UIS 能力 (单脉冲和重复脉冲) 以及 AEC Q101 认证。该产品可用于 DC/DC 转换器和离线 UPS、分布式电源体系结构和 VRM、24V 和 48V 系统的主开关、高压同步整流器、直接喷射/柴油喷射系统、42V 汽车负载控制以及电子气门杆系统。
multicomp SB530/540/560 说明书 该文档介绍了SB530/540/560 5A功率二极管的特点和特性,包括低成本、金属与硅整流器、低功率损耗、高效率、高电流能力、低VF、高浪涌容量、外延结构等。适用于低电压、高频率逆变器、自由轮和极性保护应用。