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更新: 30 September, 2023
BS616LV2013是一款高性能，超低功耗CMOS静态随机存储器，可在2.4V至3.6V宽电压范围内工作。高级CMOS技术和电路技术提供了高速度和低功耗功能，典型的CMOS待机电流为0.1uA，最大访问时间为3V操作中的70/100ns。通过活动低片选(CE)、活动低输出使能(OE)和三态输出驱动器提供简易存储器扩展。BS616LV2013具有自动待机功能，当芯片未选中时，可显着降低功耗。BS616LV2013提供DICE形式、JEDEC标准44针TSOP Type II封装、JEDEC标准48针TSOP Type I封装和48球BGA封装。
文件格式: PDF
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MD5: C9B6CC2B3638CD56B0DC0F96B9076DEC
发布时间: 09 May, 2012
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连接: BSI BS616LV2013 Data Sheet PDF