三星 K4S56163PF - R(B)G/F 说明书(1)(1) K4S56163PF是三星公司生产的一种低功耗、高性能的同步动态随机存储器(SDRAM)，它采用了4 x 4,196,304字节×16位的高性能CMOS技术，可在-25°C~70°C的商业温度范围内工作，也可在-25°C~85°C的扩展温度范围内工作。
三星 K4S56163PF - R(B)G/F 说明书(1) K4S56163PF为三星生产的268,435,456位同步高数据速率动态随机存储器，组织形式为4 x 4,196,304字节×16位，采用三星高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟精确控制周期，并且可以在每个时钟周期进行I/O事务。可编程的操作频率、可编程的突发长度和可编程的延迟允许同一设备在各种高带宽和高性能内存系统应用中使用。
三星 K4S56163LF - X(Z)E/N/G/C/L/F 说明书(1)(1) 该文档介绍了K4S56163LF型号的移动SDRAM产品的特点和特性，包括2.5V电源供应、LVCMOS兼容的多路复用地址、四个存储区操作、MRS循环和EMRS循环等功能。
三星 K4S56163LF - X(Z)E/N/G/C/L/F 说明书(1) 该文件介绍了鼎好公司的K4S56163LF型号移动SDRAM产品的特点。该产品采用2.5V电源供应，与多路复用地址兼容，具有四个存储区操作。该产品支持CAS延迟、突发长度和突发类型的设置，具有特殊功能支持，如部分阵列自刷新和温度补偿自刷新等。该产品适用于高带宽、高性能内存系统应用。
惠而浦 AWZ 3667 快速参考指南 该文件是一份关于烘干机的使用说明，包括故障排除和维修信息。文件中介绍了烘干机的分类标准，如材料厚度、材料类型和烘干程度等。还详细说明了烘干机的操作步骤，包括装载衣物、选择程序和启动烘干等。此外，文件还提到了不能烘干的衣物类型和注意事项，如检查扣件是否扣紧、清空口袋以及不要将打火机放入洗物中。最后，文件还介绍了清洁棉绒过滤器的方法和安全操作的注意事项。
惠而浦 AWZ 8677 洗衣机 快速参考指南 该文件提供了关于机器操作的详细信息，包括故障排除和维修。根据材料厚度、材料类型和干燥程度进行分类。提醒检查所有的扣子是否关闭，口袋是否空空如也。还提供了关于门的操作和儿童安全锁的说明。指导正确地放置衣物并选择干燥程序和选项。通过按下“开始（暂停）”按钮启动干燥程序。
PANTECH CDM8635 用户指南 感谢您选择CDM8635，我们的最新款手机。CDM8635具有许多功能，例如Clear Hearing，旨在增强您的移动体验。从其易于阅读的菜单到其时尚的外观设计，我们知道您会喜欢整个CDM8635体验。本用户指南包含重要而有用的信息，将最大限度地提高您对CDM8635的了解。
三星 K4S641633H - R(B)E/N/G/C/L/F 说明书(1)(1) 该文件介绍了K4S641633H-R(B)E/N/G/C/L/F型号的移动SDRAM产品的特点和特性，包括3.0V和3.3V电源供应、LVCMOS兼容性、四个存储区域操作、MRS和EMRS循环等。
三星 K4S641633H - R(B)E/N/G/C/L/F 说明书(1) K4S641633H是三星公司生产的一种带有动态随机存取内存（DRAM）的存储器，它具有3.0V和3.3V的供电电压，支持四个银行操作，支持1、2、3、4、8、Full Page等多种突发长度，还支持顺序和交错两种突发类型。该产品具有特殊功能支持，包括部分阵列自刷新（PASR）和内部温度补偿自刷新（TCSR），并且支持DQM掩码和自动刷新。该产品的商业温度范围为-25°C至70°C，扩展温度范围为-25°C至85°C。该产品采用54Balls FBGA封装，引脚间距为0.8mm，带有引线（-RXXX）和无铅（-BXXX）两种封装类型。
三星 K4S64163LH - R(B)E/N/G/C/L/F 说明书 K4S64163LH-R(B)E/N/G/C/L/F是三星生产的一种移动内存，它采用了高性能的CMOS技术，具有2.5V的电源供应、4个银行操作、MRS周期和EMRS周期等特点。
三星 K5L5628JT(B)M 数据手册(1) K5L5628JT(B)M是三星推出的一款256M Bit (16M x16) Synchronous Burst , Multi Bank NOR Flash / 128M Bit(8M x16) Synchronous Burst UtRAM
三星 K5L5628JT(B)M 数据手册(1)(1) K5L5628JT(B)M 是三星公司生产的一款 256M Bit (16M x16) Synchronous Burst , Multi Bank NOR Flash / 128M Bit(8M x16) Synchronous Burst UtRAM ，工作电压为 1.7V 到 1.95V ，工作温度为 -30°C ~ 85°C 。
SAMSUNG K5T6432YT(B)M 数据手册(1) 这是一个Multi-Chip Package MEMORY 64M Bit (4Mx16) Four Bank NOR Flash Memory / 32M Bit (2Mx16) UtRAM的技术手册，详细介绍了该产品的特点特性。
