K4S643233H是三星公司生产的同步高数据速率动态随机存取存储器,其存储容量为67,108,864位,组织形式为4 x 524,288 words by 32 bits,采用三星高性能CMOS技术制造。该存储器支持3.0V和3.3V电源供电,可在-25℃~70℃和-25℃~85℃的商业温度和扩展温度范围内工作。
K4S561633C-R(B)L/N/P是三星推出的一款4M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM,采用54CSP封装,支持3.0V/3.0V和3.3V/3.3V两种电压供电。该芯片具有四个银行操作、MRS周期、地址键程序、延迟周期、突发长度和突发类型等功能,支持自动刷新。
K4S561633F是一种268,435,456位同步高数据速率动态随机存储器,组织为4 x 4,196,304字16位,采用三星的高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟进行精确的周期控制,并且I/O事务可以在每个时钟周期上进行。操作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许同一器件在各种高带宽、高性能存储系统应用中发挥作用。