FUJI 2SK2638-01MR Data Sheet(1) 2SK2638-01MR 是 N 沟道 MOS-FET FAP-IIS 系列，最大电压为 450V，电流为 10A，功率为 50W。它具有高速度开关、低导通电阻、无二次击穿、低驱动功率、高电压、VGS = ±30V 保证、重复雪崩额定等特点。它可用于开关电源、UPS、DC-DC 转换器和通用功率放大器。
FUJI 2SK2638-01MR Data Sheet(1)(1) 2SK2638-01MR是鼎好电子的N沟道MOS-FET，具有高开关速度、低导通电阻、无次级击穿、低驱动功率、高电压、VGS = ± 30V保证、重复雪崩额定等特点，适用于开关电源、UPS、DC-DC转换器、通用功率放大器等应用。
FUJI 2SK2639-01 Data Sheet(1)(1) 该文件介绍了2SK2639-01 N-channel MOS-FET FAP-IIS系列产品的特点和特性，包括高速开关、低导通电阻、无二次击穿、低驱动功率、高电压等。
FUJI 2SK2640-01MR Data Sheet 2SK2640-01MR是鼎好半导体生产的一款N沟道MOS-FET，具有高开关速度、低导通电阻、无二次击穿、低驱动功率、高耐压等特点，应用于开关电源、UPS、DC-DC转换器和通用功率放大器等领域。
FUJI ELECTRIC 2SK2640-01MR DATA SHEET 该文档介绍了2SK2640-01MR N-channel MOS-FET FAP-IIS系列产品的特点和特性，包括高速开关、低导通电阻、无二次击穿、低驱动功率、高电压等。该产品适用于开关电源、UPS、DC-DC转换器和通用功率放大器等应用领域。
THSHIBA TC7WB66FK 说明书(1)(1) TC7WB66FK是东芝公司生产的一款低导通电阻、高速度CMOS2-bit总线开关。该总线开关可以在保持CMOS特征的低功耗的同时，以最小的传播延迟完成连接或断开的操作。当输出使能(OE)处于高电平时，开关打开; 当处于低电平时，开关关闭。P-MOS和N-MOS通道阻隔意味着该器件适用于模拟信号传输。所有输入均配备了保护电路，以保护器件免受静电放电。
THSHIBA TC7WB66FK 说明书(1) TC7WB66FK是一种低电阻、高速CMOS 2位总线开关。该总线开关允许在最小传播延迟的情况下进行连接或断开连接，同时保持CMOS特性的低功耗。当输出使能（OE）为高电平时，开关处于打开状态；当为低电平时，开关处于关闭状态。P-MOS和N-MOS通道阻断意味着该器件适用于模拟信号传输。所有输入都配备了保护电路，以保护器件免受静电放电的影响。
THSHIBA TC7WBD126FK 说明书(1) TC7WBD126FK是一种低电阻、高速CMOS 2位总线开关，具有CMOS的低功耗特性。当输出使能（OE）为高电平时，开关打开；当为低电平时，开关关闭。内部二极管使得电源线的电平从5V变为3.3V。
THSHIBA TC7WBD126FK 说明书(2) TC7WBD126FK是一种低开关电阻、高速CMOS 2位总线开关，具有低功耗的特点。它可以在最小的传播延迟下进行连接或断开连接。当输出使能（OE）为高电平时，开关处于打开状态；当为低电平时，开关处于关闭状态。该器件还具有内部二极管，可实现信号电平从5V到3.3V的转换。
SAMSUNG K4S643233F-S(D)E/N/I/P 数据手册(1)(1) K4S643233F是由三星生产的一款同步动态随机存储器(SDRAM)，它具有67,108,864位，并组织为4 x 524,288字和32位。该设备支持3.0V和3.3V电源，LVCMOS兼容，可进行多路复用地址和四路操作。
SAMSUNG K4S643233F-S(D)E/N/I/P 数据手册(1) K4S643233F-S(D)E/N/I/P 是一款由三星公司生产的2Mx32 SDRAM 内存，工作电压为3.0V / 3.0V 或3.3V / 3.3V，采用90FBGA封装。
