ST L6567 数据手册 L6567是意法半导体公司生产的一款用于驱动CFL和小型TL灯的单片高压集成电路。该器件具有变频振荡器、可设置的预热和点火时间、电容模式保护等功能，能够保证灯泡的正常预热、点火和稳定工作。此外，该器件还可以为半桥拓扑中的两个外部功率MOS FET提供电平移位和驱动功能。
ST L6569 L6569A 数据手册 L6569是意法半导体公司生产的高压半桥驱动器，最大工作电压可达600V，具有内置振荡器、低启动电流（150µA）、可编程振荡器频率、死区时间1.25µs、ESD保护等特点。
ST L6571A L6571B HIGH VOLTAGE HALF BRIDGE DRIVER WITH OSCILLATOR 数据手册 L6571A/B是意法半导体公司推出的高压半桥驱动器，可驱动N沟道功率MOSFET和IGBT。内置振荡器，频率可通过外部电阻和电容进行编程。内部逻辑可保证最小死区时间，以避免功率器件交叉导通。
ST L6574 CFL/TL BALLAST DRIVER PREHEAT AND DIMMING 数据手册 L6574是一款用于灯管电子镇流器的高压驱动芯片，具有高电压、抗高速电压变化、驱动能力强等特点。
ST L6590 FULLY INTEGRATED POWER SUPPLY 数据手册 L6590是一种在BCD离线技术中设计的单片开关稳压器，能够在宽范围输入电压下工作，并提供高达15W的输出功率。它具有内部功率开关，典型的导通电阻为13Ω，最小漏极-源极电压为700V。该器件可以与二次反馈和2.5V±2%的内部参考电压一起工作，除此之外，高增益误差放大器也使得它可以实现其他类型的转换器。
ST L6598 HIGH VOLTAGE RESONANT CONTROLLER 数据手册 L6598是一款高压谐振控制器，采用BCD OFF LINE技术制造，能够保证高达600V的电压额定值。该产品适用于交流/直流适配器和任何谐振拓扑有益的应用。L6598旨在驱动两个功率MOS管，采用了经典的半桥拓扑结构。该产品具有定时部分，可以设置软起动时间、软起动和最小频率。还提供了一个误差放大器和两个使能输入。此外，集成的引导二极管和低电压供应的Zener钳位将应用所需的外部部件降至最低。
ST L6599 High-voltage resonant controller 数据手册 L6599高压谐振控制器功能包括:50%占空比,可变频率控制的谐振半桥;高精度振荡器;最高500kHz工作频率;两级OCP:频率转换和锁存关断;与PFC控制器接口;锁存禁用输入;在轻载时进行突发模式操作;用于电源开/关序列或棕色保护的输入;非线性软启动可实现输出电压单调上升;600V导轨兼容的高侧栅极驱动器,带有集成的引脚二极管和高dV/dt免疫性;-300/800mA高侧和低侧栅极驱动器,带有UVLO拉下;DIP-16,SO-16N封装
ST L6902D 数据手册 L6902D是一个完整简单的降压开关稳压器，具有可调电流限制。它基于电压模式结构，集成了一个电流误差放大器，实现恒压和恒流控制。通过板载电流传感电阻和电流传感引脚的可用性（与Vcc兼容，Cs-也与GND兼容），电流限制编程非常简单和准确（±5%）。此外，恒流控制可用于充电镍氢和镍镉电池。该器件可用作具有可调电流限制的标准DC/DC转换器（通过使用外部感应电阻设置）。内部强大的P通道DMOS晶体管，典型值为250mΩ，确保高效率和最小压差，即使在高输出电流水平下也是如此。内部限流电路
ST L6910/L6910A 数据手册 该文件介绍了L6910和L6910A两款产品的特点和特性，包括工作电压范围、门电流能力、可调输出电压、非反相输入、电压参考、PWM控制、负载瞬态响应、功率输出、过压保护、过流保护、内部振荡器频率可调、软启动和禁止等。适用于供电存储器和终端设备、计算机扩展卡、低电压分布式DC-DC和磁铁放大替代等应用。
ST L6911B 数据手册 L6911B是一种电源控制器，专为Pentium II微处理器提供高性能的DC/DC转换。它具有5位精确的数字到模拟转换器(DAC)，可调节输出电压从1.3V到2.05V，步进为0.05V；从2.1V到3.5V，步进为0.1V。具有高精度的内部参考，数字修剪，可确保所选的输出电压在+/-1%范围内。通过窗口比较器系统，该设备提供出色的负载 transient response和稳定的输出精度。支持过电压保护和过电流保护。操作频率范围从50kHz到1MHz。满足Intel Pentium II规格。具有禁用功能。
ST L6911C 数据手册 L6911C是L6911C-1/20的缩写，是意法半导体推出的一款降压转换器芯片。该芯片支持5V至12V的电源电压，最大驱动电流为1.3A，输出电压可通过5位编程电压进行调节，输出精度可达±1%。该芯片还支持软启动和禁止功能，可广泛应用于高性能微处理器核心、分布式电源和高功率DC-DC调节器等领域。
ST L6911D 数据手册 该产品是一款高性能的dc-dc转换器，能够为高电流微处理器提供电源。它具有5位数字到模拟转换器(dac)，可以将输出电压从1.30v到2.05v调整为50mv二进制步进，并从2.10v到3.50v调整为100mv二进制步进。高精度内部参考确保所选输出电压在±1%范围内。高峰电流门驱动可以快速切换到外部功率mos，从而降低开关损耗。该设备可以快速保护负载过流和负载过压。在发生硬过压时，外部SCR会被触发，以将输入电源短路。内部短路器也用于保护输出电压。
ST L6911E 数据手册 本文档介绍了一款名为L6911E的操作电源集成电路。该IC具有5V至12V电压总线的操作电源、高达1.3A的门电流能力、与TTL兼容的5位可编程输出以及VRM 8.5兼容的1.050V至1.825V的输出。该IC采用电压模式PWM控制，具有出色的输出精度、非常快的负载瞬态响应、电源良好输出电压、过压保护和监测以及上MOSFET的RdsON实现的过流保护。此外，该IC还具有200kHz的内部振荡器和可在50kHz至1MHz范围内外部调节的振荡器，以及软启动和禁止功能。该IC适用于先进微处理器核心的电源以及分布式电源。
ST L6917B 数据手册 该文档介绍了一款具有高性能的DC/DC转换器，可用于高电流微处理器的供电。该设备实现了具有180°相移的双相降压控制器。通过精确的5位数字模拟转换器(DAC)，可调整输出电压从1.100V到1.850V，每个二进制步长为25mV。高精度的内部参考电压确保所选的输出电压在±0.8%范围内。高峰值电流门极驱动器可实现与外部功率MOS的快速开关，从而降低开关损耗。该设备可以快速保护过载电流和过/欠压。提供了内部过压保护功能。
ST L6917 数据手册 该文件介绍了一种特定设计用于为高电流微处理器提供高性能DC/DC转换的电源控制器。该设备实现了具有每个相位之间180°相移的双相降压控制器。通过精确的5位数字到模拟转换器（DAC），可以以25mV二进制步长调整输出电压从1.100V到1.850V。高精度内部参考电压确保所选的输出电压在±0.8%范围内。高峰值电流门极驱动器可实现与外部功率MOS的快速开关，从而降低开关损耗。该设备快速保护负载过电流和过/欠压。提供内部电流限制器，通过打开低侧MOSFET的RdsON或感测电阻实现过电流保护。
ST L6917 数据手册(1) 该文档介绍了L6917电源控制器的主要特性，包括2相操作、同步整流器控制、超快速负载瞬态响应、集成高电流栅极驱动器、TTL兼容5位可编程输出、0.8%内部参考精度、10%有源电流共享精度、数字2048步软启动、过电压保护、过电流保护、300 kHz内部振荡器、振荡器外部可调至1MHz、电源良好输出和禁止功能、远程感应缓冲器等。
