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更新: 30 September, 2023
L6571A/B是意法半导体公司推出的高压半桥驱动器，可驱动N沟道功率MOSFET和IGBT。内置振荡器，频率可通过外部电阻和电容进行编程。内部逻辑可保证最小死区时间，以避免功率器件交叉导通。
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MD5: 8528CABC447DFD287933F2D1DE8602B3
发布时间: 10 August, 2012
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连接: ST L6571A L6571B HIGH VOLTAGE HALF BRIDGE DRIVER WITH OSCILLATOR 数据手册 PDF