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ST STE40NC60 数据手册

该文件介绍了STE40NC60 N-CHANNEL 600V - 0.098Ω - 40A ISOTOP PowerMesh™II MOSFET的特点和特性，包括极高的dv/dt能力、100%的雪崩测试、新的高压基准、最小化的门电荷等。

ST STE48NM60 数据手册

STE48NM60是ISOTOP公司的一款N沟道MOSFET，其特点是RDS(on)仅为0.09Ω，dv/dt和AVALANCHE能力都很高，并且100%通过了AVALANCHE测试，同时输入电容和栅极电荷很低，栅极输入电阻很低，具有严格的工艺控制和高的制造产量。该产品适用于提高高压转换器的功率密度，从而实现系统小型化和更高效率。

ST STE70NM60 数据手册

该文件介绍了MDmesh™技术的N沟道功率MOSFET产品，具有低电阻、高dv/dt和良好的雪崩特性。适用于高压转换器，可提高功率密度、实现系统微型化和提高效率。

intel STEL-2176 用户手册

这份文件是STEL-2176用户手册，介绍了STEL-2176的产品信息，帮助用户了解将接收器和发射器功能整合到其电缆调制解调器芯片中的优势。

ST STEVAL-MKI006V1 数据手册

STEVAL-MKI006V1是一款评估套件，用于评估LIS302DL数字输出低功耗线性加速度计。该套件包括MEMS传感器和ST7-USB微控制器，可实现传感器与PC之间的数据传输。

COBY DP860/862 使用手册

此说明书介绍了COBY DP860/862 8英寸宽屏数字相框的功能和使用方法。

ST L4916 数据手册

L4916是ST公司的一款固定输出电压为8.5V，输出电流250mA的滤波稳压器，具有高纹波抑制，高负载调节和高线调节的特点，内部集成了短路保护、热关断和回收保护等功能。

LZ93N61是WARP公司的一款CCD时序发生器LSI。该芯片支持NTSC和PAL两种视频标准，可根据需要选择270000像素或320000像素的CCD。内部电子快门，可选择1/60、1/125、1/250、1/500、1/1000、1/2000、1/4000和1/10000秒的快门速度。此外，还支持1/100秒（PAL：1/120秒）的无闪烁模式，使用并行或串行代码控制快门速度。该芯片采用单5伏电源供电，封装为48引脚的QFP封装。

SHARP LZ9GF16 数据手册

该文件介绍了Sharp iSpec No. 1999年9月2日发布的产品规格，包括产品类型、型号、特点特性等信息。

VISHAY VN0610L, VN10KLS, VN2222L 数据手册

该文件介绍了三种N沟道60V（D-S）MOSFETs，具有Zener门的特点。产品具有低导通电阻、超低阈值、低输入电容、低输入和输出泄漏、额外的ESD保护、低偏移电压、低电压操作、高速、易于驱动、低误差电压等特点。产品适用于继电器、电磁阀、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等驱动器，以及电池供电系统、固态继电器、感应负载驱动器等。

TEMIC VN0610L, VN10KE/KM, VN2222L 数据手册

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SIEMENS SMBD 2835/SMBD 2836 数据手册

本文介绍了半导体集团1的硅开关二极管阵列SMBD 2835和SMBD 2836的最大额定值，包括反向电压、正向电流、结温度、总功率耗散、储存温度范围、峰值反向电压、瞬态正向电流和热阻等。同时还提供了SMBD 2835和SMBD 2836在25℃下的电气特性，例如击穿电压、反向电流、反向恢复时间和正向电压等。

SIEMENS SMBD 6050 数据手册

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SIEMENS SMBD 6100 数据手册

SMBD6100是德州仪器生产的一款高压开关二极管，最大反向电压为70伏，最大正向电流为200毫安，最高工作温度为150度。

ST L6515 DUAL DC-MOTOR POSITIONING SYSTEM 数据手册

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ST L6560 L6560A POWER FACTOR CORRECTOR 数据手册

L6560/A是用于实现有源功率因数校正的控制器和功率MOS晶体管驱动器的单片集成电路。该芯片采用混合BCD技术，集成了以下功能：低功耗启动和滞后功能的欠压锁定、内部温度补偿的精确带隙参考电压、稳定的误差放大器、一象限乘法器、电流检测比较器、输出过压保护电路以及能够驱动400mA源/漏电流的POWER MOS或IGBT设备的共集极电路。该芯片工作于过渡模式，特别适用于灯具镇流器应用和低功率SMPS。

ST L6561 POWER FACTOR CORRECTOR 数据手册

L6561是改进版L6560标准功率因数校正器。与标准版本完全兼容，具有更优秀的乘法器性能，使得该器件能够在广泛输入电压范围应用中（从85V到265V）具有出色的谐波失真率。此外，启动电流已经降低到几十微安，并在ZCD引脚上实现了禁用功能，保证了待机模式下较低的电流消耗。该芯片采用混合BCD工艺制成，具有以下优点：微功耗启动电流、1%精度的内部参考电压（Tj = 25°C）、软过压保护、无需外部低通滤波器的电流感应、非常低的静态工作电流，最小化功率耗散。双极输出级能够驱动功率MOS或IGBT，具有+/-400mA的源和汇电流。该器件在过渡模式下运行，适用于电子灯管镇流器应用、AC-DC适配器和开关电源。

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