FAIRCHILD FQP10N60C/FQPF10N60C 数据手册 这份文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation公司的FQP10N60C/FQPF10N60C型号的N沟道MOSFET产品。该产品采用先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲耐受能力。适用于高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器等应用。
FAIRCHILD FQP10N60C / FQPF10N60C 数据手册 FQP10N60C / FQPF10N60C 是 Fairchild Semiconductor Corporation 的 600V N-Channel MOSFET，具有 9.5A、600V、RDS(on) = 0.73Ω @VGS = 10 V、低门控电荷（典型 44 nC）、低 Crss（典型 18 pF）、快速开关、100% 雪崩测试和改进的 dv/dt 能力。
FAIRCHILD FQPF11P06 数据手册 FQPF11P06是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种60V P通道MOSFET。该器件适用于汽车、DC/DC转换器等低压应用，具有低导通电阻、快速开关、100%雪崩测试等特点。
FAIRCHILD FQPF11P06 60V P-Channel MOSFET 数据手册 本文介绍了Fairchild公司生产的FQPF11P06型60V P-Channel MOSFET的特点和特性。这款产品采用了先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲下的耐受能力。适用于低压应用领域，如汽车、DC/DC转换器以及便携式和电池操作产品中的高效率开关电源管理。
FAIRCHILD FQPF12N60 600V N-Channel MOSFET 数据手册 FQPF12N60是一种高效的开关模式电源供应器，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。
FAIRCHILD FQP12N60C/FQPF12N60C 600V N-Channel MOSFET 数据手册 FQP12N60C/FQPF12N60C是Fairchild生产的600V N型MOSFET，具有12A的最大电流、0.65欧姆的导通电阻、21皮法的电容以及48纳安的栅极电荷，适用于高效率开关电源、有源功率因数校正、半桥拓扑的电子灯บัลลาสต์等应用
FAIRCHILD FQPF12N60CT 600V N-Channel MOSFET 数据手册 FQPF12N60CT 600V N-Channel MOSFET 是飞利浦半导体公司生产的一种增强型功率场效应晶体管，采用飞利浦公司专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关速度、100% 雪崩测试和改进的dv/dt 能力等特点。该产品适用于高效开关电源、有源功率因数校正、半桥拓扑结构电子灯泡镇流器等应用。
FAIRCHILD FQPF13N06 60V N-Channel MOSFET 数据手册 这份文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FQPF13N06型号的N-Channel MOSFET产品。该产品采用了先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力。适用于低压应用，如DC/DC转换器、便携式和电池操作产品的高效率开关控制。
FAIRCHILD FQPF13N06L Data Sheet(1) FQPF13N06 60V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款功率场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关性能和高能脉冲承受能力等特点，适用于DC/DC转换器、便携式和电池供电产品中的高效率开关电源等应用。
FAIRCHILD FQPF13N06L Data Sheet(1)(1) 这份文件介绍了FQPF13N06L型号的60V逻辑N沟道MOSFET产品的特点和特性。该产品采用了Fairchild的专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优越的开关性能和能够承受高能量脉冲的能力。适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器以及便携和电池操作产品的高效开关功率管理。
FAIRCHILD FQPF13N06L Data Sheet(2) FQPF13N06L是Fairchild Semiconductor生产的60V逻辑N通道MOSFET，其特点是具有低导通电阻、高开关性能和高能脉冲承受能力，适用于汽车、DC/DC转换器等低压应用场景。
FAIRCHILD FQPF17P06 说明书(1)(1) 该文档介绍了Fairchild公司生产的FQPF17P06 60V P-Channel MOSFET的特点和特性，采用了先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力。适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器以及便携和电池操作产品的高效率开关电源管理。
FAIRCHILD FQPF17P06 说明书(1) 该产品是一款60V P型MOSFET，具有-12A、-60V、RDS(on) = 0.12Ω @VGS = -10 V、低门极电荷（典型值为21 nC）、低Crss（典型值为80 pF）、快速开关、100% 雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温额定值等特点
