PHILIPS PowerMOS transistor BUK444-60H 数据手册 BUK444-60H 是 Philips Semiconductors 生产的一款 N-channel 增强型场效应功率晶体管，封装形式为塑料全包装。该器件适用于汽车应用、开关模式电源供应 (SMPS)、电机控制、焊接、DC/DC 和 AC/DC 转换器以及一般用途开关应用。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK446-1000B 数据手册 BUK446-1000B是一种N沟道增强型功率场效应晶体管，适用于开关电源、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC变换器以及一般用途的开关应用。它具有1000V的漏源电压、1.5A的漏电流和5Ω的漏源导通电阻。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK446-800A/B 数据手册 BUK446-800A/B是一款N沟道增强型功率场效应晶体管，用于开关模式电源、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC变换器等应用。它具有800V的漏源电压、2.0A的漏电流、30W的总功率耗散以及3-4Ω的漏源导通电阻。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK453-60A/B 数据手册 BUK453-60A/B是菲利浦半导体生产的一款N沟道增强型场效应功率晶体管。该器件适用于开关电源(SMPS)、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC转换器以及汽车和通用用途的开关应用。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK454-60H 数据手册 BUK454-60H是一款N沟道增强型功率MOSFET晶体管，具有60V的漏极-源极电压和41A的漏极电流。该器件适用于汽车应用、开关模式电源、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC变换器以及一般用途的开关应用。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK455-60A/B 数据手册 BUK455-60A/B是一种功率场效应晶体管，用于开关模式电源、电机控制、焊接和DC/DC、AC/DC转换器等应用。它具有60V的漏源电压、41A的漏电流、125W的总功耗和175°C的结温。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK456-100B 数据手册 BUK456-1000B是Philips Semiconductors公司生产的一款N沟道增强型场效应功率晶体管，封装形式为TO220AB。该器件适用于开关电源、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC转换器等应用场合。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK456-100B 数据手册(1) BUK456-1000B是飞利浦半导体的N沟道增强型场效应功率晶体管，封装为TO220AB，额定漏源电压为1000V，额定漏极电流为3.1A，额定总功耗为125W。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK456-200A/B 数据手册 BUK456-200是一款N沟道增强型功率场效应晶体管，适用于开关模式电源、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC变换器等应用。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK456-100A/B 数据手册 BUK456-100A/B是一种N沟道增强模式功率场效应晶体管，适用于开关模式电源、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC转换器等多种应用。它具有100V的漏极-源极电压、34A的漏极电流、150W的总功耗和175°C的结温等特性。
PHILIPS BLF246 数据手册 BLF246是飞利浦推出的一款功率MOS晶体管，具有高功率增益、低噪声系数、易于功率控制、良好的热稳定性和全负载失配能力。应用于VHF频率范围的大信号放大器应用。
PHILIPS BLF276 数据手册 BLF276是一款VHF功率MOS晶体管，具有高功率增益、易于功率控制、良好的热稳定性等特点。它适用于VHF频率范围内的大信号放大器应用，以50V的供电电压，在B类工作状态下可提供100W的输出功率。
PHILIPS BLF368 数据手册 BLF368是菲利浦半导体生产的一款VHF推挽功率MOS晶体管，具备高功率增益、易于控制功率、良好的热稳定性等特点，采用4引脚SOT262A1平衡法兰封装，具有两只陶瓷帽。
PHILIPS BLF647 UHF power LDMOS transistor 数据手册 BLF647是飞利浦生产的一款高功率LDMOS晶体管，具有高功率增益、易于功率控制、优异的坚固性、底部源极消除了直流隔离器，降低了共模电感，设计用于宽带工作（HF至800 MHz）
