SAMSUNG K4S643233F-S(D)E/N/I/P 数据手册(1)(1) K4S643233F是由三星生产的一款同步动态随机存储器(SDRAM)，它具有67,108,864位，并组织为4 x 524,288字和32位。该设备支持3.0V和3.3V电源，LVCMOS兼容，可进行多路复用地址和四路操作。
SAMSUNG K4S643233F-S(D)E/N/I/P 数据手册(1) K4S643233F-S(D)E/N/I/P 是一款由三星公司生产的2Mx32 SDRAM 内存，工作电压为3.0V / 3.0V 或3.3V / 3.3V，采用90FBGA封装。
SAMSUNG K4S643233H - F(H)E/N/G/C/L/F 数据手册(1)(1) K4S643233H是三星公司生产的同步高数据速率动态随机存取存储器，其存储容量为67,108,864位，组织形式为4 x 524,288 words by 32 bits，采用三星高性能CMOS技术制造。该存储器支持3.0V和3.3V电源供电，可在-25℃~70℃和-25℃~85℃的商业温度和扩展温度范围内工作。
SAMSUNG K4S643233H - F(H)E/N/G/C/L/F 数据手册(1) K4S643233H是由三星公司生产的一款高性能的同步动态随机存储器（SDRAM），可在-25°C至85°C的温度范围内工作。该器件具有多种可编程的特性，如操作频率、突发长度和延迟，可用于各种高带宽和高性能内存系统应用。
SAMSUNG K4S64323LF-S(D)G/S 数据手册 K4S64323LF-S(D)G/S 是由三星生产的2Mx32位同步高数据速率动态随机存储器，工作电压为2.5V，采用90脚FBGA封装。该器件具有多种可编程功能，包括CAS延迟、突发长度、突发类型等，可用于各种高带宽和高性能内存系统应用。
SAMSUNG K4S64323LF-S(D)N/U/P 数据手册 K4S64323LF-S(D)N/U/P是三星公司生产的一款手机SDRAM内存，采用2.5V电源，采用四个银行设计，支持多种时序配置，可以广泛应用于高带宽和高性能存储系统应用。
三星 K4S511632M CMOS SDRAM 说明书(1) K4S511632M是536,870,912位同步高速动态内存，由4 x 8,388,608字节x 16位组成，采用SAMSUNG的高性能CMOS技术制造。
三星 K4S511633C-YL/N/P CMOS SDRAM 说明书 K4S511633C-YL/N/P是3.0V电源的32Mx16 54CSP 1/CS (VDD/VDDQ 3.0V/3.0V或3.3V/3.3V)移动SDRAM，采用三星高性能CMOS技术制造。同步设计允许精确的周期控制，具有四个银行操作、MRS周期与地址键程序、突发长度、突发类型和所有输入在系统时钟的正向边缘采样等特性。
三星 K4S511633C-YL/N/P CMOS SDRAM 说明书(1) K4S511633C-YL/N/P是一款32Mx16 54CSP 1/CS (VDD/VDDQ 3.0V/3.0V or 3.3V/3.3V) Mobile SDRAM，采用3.0V电源供电，LVCMOS兼容多路复用地址，支持四路银行操作，MRS周期带有地址键编程。
