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更新: 01 October, 2023
BUK456-1000B是飞利浦半导体的N沟道增强型场效应功率晶体管，封装为TO220AB，额定漏源电压为1000V，额定漏极电流为3.1A，额定总功耗为125W。
文件格式: PDF
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MD5: AD445DF104F2254870924DFCBF2EEC6E
发布时间: 06 July, 2012
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连接: PHILIPS PowerMOS transistor BUK456-100B 数据手册(1) PDF